大直径区熔硅单晶生长设备电磁场及温度场的数值模拟与实验研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 主要符号表 | 第14-16页 |
| 1 绪论 | 第16-33页 |
| ·课题研究背景 | 第16-18页 |
| ·国内外相关研究进展 | 第18-25页 |
| ·区熔单晶硅研究进展 | 第18-20页 |
| ·区熔单晶炉发展现状 | 第20-23页 |
| ·区熔单晶炉温度场的研究进展 | 第23-25页 |
| ·生长单晶硅的方法简介 | 第25-30页 |
| ·直拉法(CZ) | 第25-26页 |
| ·磁控直拉法(MCZ) | 第26-27页 |
| ·区熔法(FZ) | 第27-30页 |
| ·课题来源及研究意义 | 第30-31页 |
| ·课题来源 | 第30页 |
| ·课题研究意义 | 第30-31页 |
| ·课题研究内容 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 2 区熔单晶炉结构及晶体生长工艺概述 | 第33-44页 |
| ·区熔单晶炉结构概述 | 第33-36页 |
| ·机械系统 | 第33-35页 |
| ·电气系统 | 第35-36页 |
| ·高频电源系统 | 第36页 |
| ·区熔单晶炉晶体生长工艺概述 | 第36-43页 |
| ·结晶过程的驱动力 | 第36-38页 |
| ·区熔单晶硅生长过程 | 第38-42页 |
| ·区熔单晶硅常见缺陷 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 3 区熔单晶炉中感应加热的电磁场和温度场 | 第44-58页 |
| ·感应加热基本原理 | 第44-49页 |
| ·集肤效应与透入深度 | 第45-49页 |
| ·邻近效应与圆环效应 | 第49页 |
| ·区熔单晶炉中感应加热的电磁场 | 第49-52页 |
| ·区熔单晶炉中感应加热的温度场 | 第52-57页 |
| ·感应加热基本导热微分方程 | 第53-54页 |
| ·区熔单晶炉中的温度场数学模型 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 4 区熔单晶炉电磁场及温度场的有限元仿真 | 第58-81页 |
| ·电磁场和温度场的有限元法 | 第58-60页 |
| ·区熔单晶炉电磁场有限元仿真 | 第60-70页 |
| ·电磁场仿真过程 | 第61-63页 |
| ·电磁场仿真结果分析 | 第63-70页 |
| ·区熔单晶炉温度场有限元仿真 | 第70-80页 |
| ·电磁—温度耦合场仿真过程 | 第71-76页 |
| ·电磁—温度耦合场仿真结果分析 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 5 区熔单晶炉温度测量实验 | 第81-92页 |
| ·实验内容及过程 | 第81-88页 |
| ·实验内容及温度测量方法 | 第81-82页 |
| ·实验设备及仪器 | 第82-85页 |
| ·实验过程 | 第85-88页 |
| ·实验结果分析 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 6 总结与展望 | 第92-94页 |
| ·总结 | 第92-93页 |
| ·展望 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
