| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·TiO_2半导体纳米材料的研究背景与现状 | 第10-11页 |
| ·TiO_2光催化机理 | 第11-15页 |
| ·TiO_2的能带结构 | 第12-13页 |
| ·光催化机理 | 第13-15页 |
| ·TiO_2的制备方法 | 第15-19页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第15-17页 |
| ·电化学法 | 第17页 |
| ·溅射法 | 第17-18页 |
| ·模板法 | 第18-19页 |
| ·TiO_2光催化活性的影响因素 | 第19-20页 |
| ·晶粒尺寸的影响 | 第19页 |
| ·晶体结构的影响 | 第19页 |
| ·膜厚的影响 | 第19-20页 |
| ·反应气氛的影响 | 第20页 |
| ·TiO_2薄膜的改性技术 | 第20-23页 |
| ·过渡金属离子掺杂 | 第20-21页 |
| ·贵金属沉积 | 第21-22页 |
| ·非金属掺杂 | 第22页 |
| ·半导体复合 | 第22-23页 |
| ·表面光敏化 | 第23页 |
| ·二氧化钛薄膜的应用 | 第23-27页 |
| ·太阳能电池 | 第24页 |
| ·污水处理 | 第24-26页 |
| ·空气净化器 | 第26页 |
| ·防雾与自清洁涂层 | 第26-27页 |
| ·抗菌材料 | 第27页 |
| ·课题依据与研究内容 | 第27-30页 |
| 第二章 实验部分 | 第30-34页 |
| ·实验试剂及设备 | 第30-31页 |
| ·实验所用试剂及设备仪器 | 第30-31页 |
| ·实验基底准备 | 第31页 |
| ·试样的表征 | 第31-34页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第31-32页 |
| ·SEM分析 | 第32页 |
| ·紫外-可见光光谱分析 | 第32页 |
| ·光电流性能测试 | 第32页 |
| ·光降解亚甲基蓝测试 | 第32-34页 |
| 第三章 TiO_2纳米管的形成机理及制备 | 第34-38页 |
| ·TiO_2纳米管的形成机理 | 第34-36页 |
| ·TiO_2纳米管的制备 | 第36页 |
| ·TiO_2纳米管的退火处理 | 第36-37页 |
| ·TiO_2纳米管的晶型确定 | 第37-38页 |
| 第四章 恒压沉积制备CdSe/TiO_2复合薄膜及其性能研究 | 第38-46页 |
| 引言 | 第38-39页 |
| ·沉积机理 | 第39-40页 |
| ·CdSe纳米晶与CdSe/TiO_2复合薄膜的制备 | 第40页 |
| ·样品表征 | 第40-45页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第41页 |
| ·扫描电子显微镜分析(SEM) | 第41-43页 |
| ·CdSe纳米晶的紫外可见光吸收光谱 | 第43页 |
| ·CdSe/TiO_2复合薄膜的光响应分析 | 第43-44页 |
| ·CdSe/TiO_2复合薄膜的光催化活性 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 不同沉积时间下CdSe/TiO_2复合薄膜的制备及其性能研究 | 第46-54页 |
| ·CdSe纳米晶与CdSe/TiO_2复合薄膜的制备 | 第46页 |
| ·样品表征 | 第46-51页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第47-48页 |
| ·扫描电子显微镜分析(SEM) | 第48-49页 |
| ·CdSe纳米晶的紫外可见光吸收光谱 | 第49页 |
| ·CdSe/TiO_2复合薄膜的光响应分析 | 第49-50页 |
| ·CdSe/TiO_2复合薄膜光催化活性研究 | 第50-51页 |
| ·沉积机理 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第六章 不同电解液浓度时CdSe/TiO_2复合薄膜的制备及其性能研究 | 第54-62页 |
| ·CdSe纳米晶与CdSe/TiO_2复合薄膜的制备 | 第54-55页 |
| ·样品表征 | 第55-58页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第55-56页 |
| ·显微电子扫描图分析 | 第56页 |
| ·CdSe纳米晶的紫外可见光吸收分析 | 第56-57页 |
| ·CdSe/TiO_2复合薄膜的可见光响应分析 | 第57-58页 |
| ·CdSe/TiO_2复合薄膜的光催化性能分析 | 第58页 |
| ·电解液浓度不同时CdSe沉积机理 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-62页 |
| 第七章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第72页 |
