纳米砷化镓（GaAs）薄膜的电化学制备与研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·GaAs材料的基本性质 | 第11-14页 |
| ·GaAs材料的物理特性 | 第11-12页 |
| ·GaAs材料的电学特性 | 第12-13页 |
| ·GaAs材料的化学特性 | 第13页 |
| ·GaAs材料的光学特性 | 第13-14页 |
| ·GaAs材料的制备方法 | 第14-23页 |
| ·GaAs材料的应用 | 第23-26页 |
| ·GaAs在微电子领域的应用 | 第23-24页 |
| ·GaAs在光电子领域的应用 | 第24-26页 |
| ·本课题的研究内容及意义 | 第26-27页 |
| 第二章 实验试剂、制备仪器和表征方法 | 第27-31页 |
| ·实验试剂 | 第27页 |
| ·实验设备 | 第27-28页 |
| ·样品分析表征方法 | 第28-31页 |
| ·电化学分析 | 第28-29页 |
| ·HRXRD分析 | 第29-30页 |
| ·FESEM观察及EDS测定 | 第30页 |
| ·PL分析 | 第30页 |
| ·AFM观察 | 第30-31页 |
| 第三章 恒电压共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜 | 第31-49页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验原理 | 第31-33页 |
| ·恒电压电共沉积GaAs实验 | 第33-39页 |
| ·沉积参数的选择 | 第33-37页 |
| ·实验装置 | 第37-38页 |
| ·前驱液的配制 | 第38-39页 |
| ·电极的预处理 | 第39页 |
| ·影响GaAs薄膜共沉积的因素分析 | 第39-46页 |
| ·pH值对GaAs薄膜的影响 | 第39-41页 |
| ·电压值对GaAs薄膜的影响 | 第41-44页 |
| ·退火条件对GaAs薄膜的影响 | 第44-46页 |
| ·电共沉积GaAs薄膜的光学特性 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 第四章 脉冲电流共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜 | 第49-63页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·实验原理 | 第49-50页 |
| ·脉冲电流沉积GaAs实验 | 第50-54页 |
| ·脉冲沉积参数的选择 | 第50-53页 |
| ·实验装置 | 第53-54页 |
| ·影响GaAs薄膜脉冲共沉积的因素分析 | 第54-61页 |
| ·络合物对GaAs薄膜的影响 | 第54-56页 |
| ·占空比对GaAs薄膜的影响 | 第56-57页 |
| ·峰值电流密度对GaAs薄膜的影响 | 第57-60页 |
| ·退火条件对GaAs薄膜的影响 | 第60-61页 |
| ·脉冲电沉积GaAs薄膜的光学性能 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73页 |
