| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·课题背景 | 第7-9页 |
| ·论文各部分的主要内容 | 第9-11页 |
| 第二章 常见的高压器件结构 | 第11-18页 |
| ·三维垂直高压MOS 器件 | 第11-13页 |
| ·二维高压MOS 器件 | 第13-17页 |
| ·补偿栅MOS 晶体管 | 第13-14页 |
| ·双扩散（DDD）MOSFET | 第14页 |
| ·Lateral DMOSFET（LDMOS） | 第14-15页 |
| ·偏置栅（Offset-Gate）MOSFET | 第15-16页 |
| ·Smart Voltage eXtension（SVX） | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 高压器件的隔离技术 | 第18-23页 |
| ·常见的隔离技术 | 第18-19页 |
| ·PN 结隔离 | 第19-20页 |
| ·介质隔离 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第四章 高压器件的耐压特性 | 第23-32页 |
| ·影响器件击穿电压的主要因素 | 第23-28页 |
| ·器件的击穿特性 | 第23页 |
| ·雪崩击穿的理论推导 | 第23-26页 |
| ·实际平面结的击穿 | 第26-28页 |
| ·高压器件终端技术 | 第28-31页 |
| ·器件耐压机理分析 | 第28-29页 |
| ·场板（Field Plate）技术 | 第29-30页 |
| ·RESURF 技术 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第五章 基于CMOS 工艺的高压MOSFET 结构 | 第32-43页 |
| ·标准CMOS 工艺介绍 | 第32-37页 |
| ·实验目的及方案分析 | 第37-42页 |
| ·实验目的 | 第37-38页 |
| ·工艺方案对比 | 第38-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 基于CMOS 工艺的高压器件参数 | 第43-52页 |
| ·高压MOSFET 的重要参数 | 第43-46页 |
| ·高压MOSFET 的阈值电压 | 第43页 |
| ·高压MOSFET 的电导和跨导 | 第43-44页 |
| ·高压MOSFET 的导通电阻 | 第44-45页 |
| ·高压MOSFET 的击穿电压 | 第45-46页 |
| ·高压器件参数测试 | 第46-51页 |
| ·测试方法 | 第46-47页 |
| ·测试原理 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第七章 结束语 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 附录 | 第55-65页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第65页 |