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低维半导体能带计算及可调谐太赫兹源研究

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
第一章 前言第7-9页
第二章 磁场下稀磁半导体耦合量子阱带间吸收谱的理论研究第9-16页
 §2-1 前言第9页
 §2-2 模型和算法第9-11页
 §2-3 结果和讨论第11-14页
 §2-4 小结第14-15页
 参考文献第15-16页
第三章 外电场下有限宽度纳米环双量子阱的带间吸收谱的研究第16-22页
 §3-1 前言第16页
 §3-2 模型和算法第16-17页
 §3-3 结果和讨论第17-19页
 §3-4 小结第19-20页
 参考文献第20-22页
第四章 平面磁场下量子阱的电子结构的研究第22-33页
 §4-1 前言第22-23页
 §4-2 平面波展开法求解量子阱和超晶格电子结构第23-25页
  §4-2-1 导带电子结构第23-24页
  §4-2-2 p型掺杂量子阱或超晶格价带电子结构第24-25页
 §4-3 稀磁半导体窄量子阱中平面磁场诱导的完全自旋极化二维电子气第25-31页
  §4-3-1 简介第25-26页
  §4-3-2 计算方法第26-27页
  §4-3-3 结果和讨论第27-30页
  §4-3-4 小结第30-31页
 参考文献第31-33页
第五章 可调谐负有效质量太赫兹辐射源理论研究第33-48页
 §5-1 前言第33-34页
 §5-2 n型宽量子阱中平面磁场诱导的负有效质量第34-38页
 §5-3 Monte-Carlo模拟第38-41页
 §5-4 可调谐太赫兹源理论设计第41-46页
 参考文献第46-48页
第六章 结论和展望第48-50页
致谢第50-51页
博士和博士后期间发表和待发表论文第51-53页

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