摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
第一章 前言 | 第7-9页 |
第二章 磁场下稀磁半导体耦合量子阱带间吸收谱的理论研究 | 第9-16页 |
§2-1 前言 | 第9页 |
§2-2 模型和算法 | 第9-11页 |
§2-3 结果和讨论 | 第11-14页 |
§2-4 小结 | 第14-15页 |
参考文献 | 第15-16页 |
第三章 外电场下有限宽度纳米环双量子阱的带间吸收谱的研究 | 第16-22页 |
§3-1 前言 | 第16页 |
§3-2 模型和算法 | 第16-17页 |
§3-3 结果和讨论 | 第17-19页 |
§3-4 小结 | 第19-20页 |
参考文献 | 第20-22页 |
第四章 平面磁场下量子阱的电子结构的研究 | 第22-33页 |
§4-1 前言 | 第22-23页 |
§4-2 平面波展开法求解量子阱和超晶格电子结构 | 第23-25页 |
§4-2-1 导带电子结构 | 第23-24页 |
§4-2-2 p型掺杂量子阱或超晶格价带电子结构 | 第24-25页 |
§4-3 稀磁半导体窄量子阱中平面磁场诱导的完全自旋极化二维电子气 | 第25-31页 |
§4-3-1 简介 | 第25-26页 |
§4-3-2 计算方法 | 第26-27页 |
§4-3-3 结果和讨论 | 第27-30页 |
§4-3-4 小结 | 第30-31页 |
参考文献 | 第31-33页 |
第五章 可调谐负有效质量太赫兹辐射源理论研究 | 第33-48页 |
§5-1 前言 | 第33-34页 |
§5-2 n型宽量子阱中平面磁场诱导的负有效质量 | 第34-38页 |
§5-3 Monte-Carlo模拟 | 第38-41页 |
§5-4 可调谐太赫兹源理论设计 | 第41-46页 |
参考文献 | 第46-48页 |
第六章 结论和展望 | 第48-50页 |
致谢 | 第50-51页 |
博士和博士后期间发表和待发表论文 | 第51-53页 |