| 1 绪论 | 第1-12页 |
| ·世界集成电路产业结构的变化及其发展历程 | 第8-9页 |
| ·我国集成电路设计与制造的现状 | 第9-11页 |
| ·项目的提出思路和意义 | 第11-12页 |
| 2 半导体集成电路设计、工艺 | 第12-14页 |
| ·双极集成电路一般设计流程与CL2003的设计选择 | 第12-13页 |
| ·集成电路设计方法的分类 | 第12页 |
| ·双极型集成电路设计的特殊性 | 第12-13页 |
| ·对本项目设计思路的初步判断 | 第13页 |
| ·集成电路的一些工艺技术与CL2003的相关工艺 | 第13-14页 |
| 3 达林顿驱动阵列集成电路的设计要求及实现方案论证 | 第14-20页 |
| ·项目的技术性能要求 | 第14-17页 |
| ·项目的经济性分析 | 第17-18页 |
| ·项目的工艺和设计分析 | 第18-20页 |
| ·工艺路线定性分析 | 第18-19页 |
| ·设计重点的分析 | 第19-20页 |
| 4 工艺和工艺设计规则 | 第20-27页 |
| ·双极集成电路的一般工艺流程 | 第20页 |
| ·电路的具体要求对工艺的调整 | 第20-22页 |
| ·高反压和低饱和压降的工艺要求 | 第20页 |
| ·深磷工艺对工序的影响 | 第20-21页 |
| ·可靠性要求隔离及其他硼扩散区氧化膜的工艺处理 | 第21-22页 |
| ·几个工艺与设计指标的推断 | 第22-25页 |
| ·硼扩散的结深χ_b和方块电阴值R_b | 第22页 |
| ·外延层的电阻率ρ_(epi)和外延层的厚度t_(ept) | 第22-25页 |
| ·发射区的有效总边长le | 第25页 |
| ·设计规则的整合 | 第25-27页 |
| 5 单元电路的设计与前期分析 | 第27-45页 |
| ·电路通态压降仿真 | 第28-31页 |
| ·输入输出响应分析 | 第31-34页 |
| ·输入电阻R1不同阻值的模拟情况 | 第34-45页 |
| 6 工艺流程的设计 | 第45-48页 |
| 7 产品器件的制造实现 | 第48-51页 |
| ·版图制版 | 第48-49页 |
| ·流片与验证 | 第49页 |
| ·封装、测试与老化 | 第49-51页 |
| 8 结果分析与结论 | 第51-55页 |
| ·性能指标的结果 | 第51-54页 |
| ·芯片的PCM结果 | 第51页 |
| ·器件的性能结果 | 第51-52页 |
| ·器件可靠性的结果 | 第52-54页 |
| ·器件实现的结果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56页 |
