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高声速衬底压电薄膜的制备及声表面波器件的研制探索

致谢第1-7页
<中文摘要>第7页
<中文关键词>第7-8页
<英文摘要>第8-9页
<英文关键词>第9-10页
第一章  概述第10-29页
   ·声表面波技术简介第10-14页
   ·ZnO──使用最广泛的压电薄膜材料第14-21页
   ·AlN──性能优异的多功能宽禁带半导体材料第21-25页
   ·金刚石等高声速材料在SAW领域中的应用第25-26页
   ·本论文的主要工作第26页
 <参考文献>第26-29页
第二章  脉冲激光淀积(PLD)第29-34页
   ·PLD原理第29-31页
   ·PLD工艺特点第31-32页
   ·实验用PLD系统第32-33页
 <参考文献>第33-34页
第三章  脉冲激光淀积制备ZnO薄膜第34-62页
   ·引言第34页
   ·ZnO/Si(100)薄膜的脉冲激光淀积第34-50页
   ·ZnO/diamond薄膜的脉冲激光淀积第50-57页
   ·ZnO/6H-SiC薄膜的脉冲激光淀积第57-60页
   ·本章小结第60-61页
 <参考文献>第61-62页
第四章  利用ZnO缓冲层制备AlN薄膜第62-71页
   ·引言第62-63页
   ·样品的制备第63页
   ·样品的分析测试结果与讨论第63-68页
   ·小结第68-69页
 <参考文献>第69-71页
第五章  薄膜SAW滤波器的研制探索第71-75页
第六章  结论第75-77页
附录1──发表文章目录第77页
附录2──个人简历第77页

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