| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 图表目录 | 第12-15页 |
| 第1章 前言 | 第15-32页 |
| ·微机电系统概述 | 第15-17页 |
| ·微系统材料可靠性问题 | 第17-21页 |
| ·粘附 | 第17-19页 |
| ·应力和应变梯度 | 第19-21页 |
| ·微系统器件可靠性问题 | 第21-25页 |
| ·磨损 | 第21-23页 |
| ·电化学腐蚀 | 第23-25页 |
| ·疲劳 | 第25页 |
| ·研究目的与意义 | 第25-26页 |
| ·论文主要内容 | 第26-28页 |
| 本章参考文献 | 第28-32页 |
| 第2章 多晶碳化硅薄膜应力与应变梯度控制 | 第32-56页 |
| ·碳化硅MEMS背景介绍 | 第32-34页 |
| ·实验方法 | 第34-40页 |
| ·LPCVD设备 | 第34-35页 |
| ·基片准备 | 第35页 |
| ·薄膜表征 | 第35-40页 |
| ·实验结果 | 第40-52页 |
| ·非掺杂薄膜表征 | 第40-47页 |
| ·n型掺杂SiC薄膜表征 | 第47-52页 |
| ·本章总结 | 第52-53页 |
| 本章参考文献 | 第53-56页 |
| 第3章 工作在高湿度环境下MEMS电极可靠性研究 | 第56-81页 |
| ·背景知识 | 第56-63页 |
| ·电化学极化 | 第56-58页 |
| ·Pourbaix图 | 第58-59页 |
| ·空气中MEMS器件的腐蚀 | 第59-60页 |
| ·表面化学处理 | 第60-63页 |
| ·实验方法 | 第63-67页 |
| ·测试微结构 | 第63-66页 |
| ·测试和表征方法 | 第66-67页 |
| ·实验结果与分析 | 第67-77页 |
| ·多晶硅电极 | 第67-72页 |
| ·多晶碳化硅电极 | 第72-77页 |
| ·本章总结 | 第77-79页 |
| 本章参考文献 | 第79-81页 |
| 第4章 表面处理方法对基于SiC的MEMS可靠性研究 | 第81-89页 |
| ·TRIM计算离子穿越厚度 | 第81-82页 |
| ·实验 | 第82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-87页 |
| ·薄膜应力影响 | 第82-85页 |
| ·薄膜腐蚀性能影响 | 第85-87页 |
| ·结论 | 第87-88页 |
| 本章参考文献 | 第88-89页 |
| 第5章 周期接触的MEMS器件可靠性研究 | 第89-100页 |
| ·器件设计计算 | 第89-91页 |
| ·器件加工与测试 | 第91-94页 |
| ·实验结果与讨论 | 第94-98页 |
| ·结论 | 第98-99页 |
| 本章参考文献 | 第99-100页 |
| 第6章 总结与展望 | 第100-103页 |
| ·工作总结 | 第100-101页 |
| ·展望 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第104页 |