| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·单晶硅的性质 | 第8-9页 |
| ·半导体硅在低维体系中的能级和态密度 | 第9页 |
| ·团簇物理的简介 | 第9-11页 |
| 第二章 激光辐照制备低维结构及退火处理后的结构 | 第11-26页 |
| ·纳米硅制备方法的国内外研究现状及水平 | 第11-13页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第11-12页 |
| ·光照辐照的电化学阳极腐蚀法 | 第12页 |
| ·化学气相沉积法 | 第12-13页 |
| ·用激光辐照法制备纳米硅的研究 | 第13-14页 |
| ·激光的参量选取 | 第13页 |
| ·激光加工的时间控制 | 第13页 |
| ·激光辐照样品时间的选取 | 第13-14页 |
| ·样品的高温退火处理 | 第14页 |
| ·样品制备后的形貌 | 第14-19页 |
| ·样品检测系统 | 第14-17页 |
| ·激光辐照后样品的表面形貌 | 第17-18页 |
| ·高温退火后样品的形貌 | 第18-19页 |
| ·样品制备后的表征 | 第19-24页 |
| ·激光辐照后样品的表征 | 第19-21页 |
| ·激光辐照并高温退火后样品的表征 | 第21-24页 |
| ·用拉曼光谱峰频移检测退火后结构的尺寸 | 第24页 |
| ·小结 | 第24-26页 |
| 第三章 表面硅氢键和硅氧键钝化的硅团簇的第一性原理研究 | 第26-41页 |
| ·Materials Studio计算软件的简介 | 第26-28页 |
| ·Castep简介 | 第26-28页 |
| ·Dmol~3简介 | 第28页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第28-35页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第29页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第29-30页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第30-32页 |
| ·关联能的近似方法 | 第32-34页 |
| ·DFT理论的优势及局限性 | 第34-35页 |
| ·表面硅氢键钝化和硅氧键钝化的硅团簇模型的构建与性质 | 第35-39页 |
| ·序言 | 第35页 |
| ·模型的建立 | 第35-39页 |
| ·Si-O-桥键和Si=O双键的比较 | 第39-41页 |
| 第四章 氧化纳晶硅PL发光的理论模型 | 第41-46页 |
| ·纳米硅发光机理的国内外研究现状及水平 | 第41-43页 |
| ·量子限制模型 | 第41-42页 |
| ·氢化非晶硅模型 | 第42页 |
| ·缺陷态发光模型 | 第42页 |
| ·表面态模型 | 第42-43页 |
| ·纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态及其相关发光模型 | 第43-46页 |
| 第五章 结论和展望 | 第46-48页 |
| ·结论 | 第46页 |
| ·展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第53-54页 |