| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 半导体光刻技术 | 第8-31页 |
| 第一节 光刻工艺技术发展及展望 | 第8-9页 |
| 第二节 光刻基本原理及成像条件 | 第9页 |
| 第三节 光阻化学性质与作用 | 第9-11页 |
| 第四节 光刻工艺流程介绍 | 第11-22页 |
| ·去水烘烤/HMDS | 第12页 |
| ·光阻涂布 | 第12-16页 |
| ·软烤 | 第16-17页 |
| ·晶边曝光WEE(Wafer Edge Exposure) | 第17页 |
| ·对准/曝光 | 第17-20页 |
| ·曝光后烘烤 | 第20-21页 |
| ·显影 | 第21页 |
| ·硬烤 | 第21-22页 |
| 第五节 光阻涂布与显影设备 | 第22-24页 |
| ·Track机台及构造 | 第22-23页 |
| ·涂布机台及构造 | 第23-24页 |
| ·显影机台 | 第24页 |
| 第六节 曝光设备 | 第24-26页 |
| ·leveling系统 | 第25-26页 |
| 第七节 解析度与聚焦深度 | 第26-27页 |
| 第八节 光罩相关技术 | 第27-28页 |
| 第九节 显影后的检查 | 第28-31页 |
| ·显影后检查步骤 | 第28页 |
| ·显影后目检(ADI-After Develop Inspection) | 第28-29页 |
| ·ADI的常见缺陷 | 第29-31页 |
| 第二章 典型焦距异常现象及其原因分析 | 第31-42页 |
| 第一节 如何确定光刻参数 | 第31-36页 |
| ·光阻的选择 | 第31-32页 |
| ·光阻厚度曲线(Swing Curve) | 第32页 |
| ·最佳焦距与曝光能量 | 第32-35页 |
| ·制程窗口(Process Window) | 第35-36页 |
| 第二节 光刻中三种典型的焦距异常现象及原因分析 | 第36-42页 |
| ·Local defocus | 第36-37页 |
| ·Edge defocus | 第37-40页 |
| ·Zero mark area defocus | 第40-42页 |
| 第三章 典型焦距异常现象及其原因分析 | 第42-49页 |
| 第一节 Local Defocus | 第42-43页 |
| 第二节 Edge Defocus | 第43-46页 |
| ·机台本身因素造成的Edge Defocus | 第43-44页 |
| ·晶圆本身边缘的拓扑形态与中央的差异性引起的Edge Defocus | 第44-46页 |
| 第三节 Zero mark area Defocus | 第46-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 后记 | 第53-54页 |
