| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·相关研究现状 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 混频器基础理论 | 第16-33页 |
| ·混频器原理 | 第16-20页 |
| ·混频器基本原理 | 第16-17页 |
| ·非线性器件的相乘作用实现混频器 | 第17-18页 |
| ·开关电路的混频作用 | 第18-20页 |
| ·混频器的分类 | 第20-25页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·有源混频器 | 第21-25页 |
| ·混频器主要性能指标 | 第25-33页 |
| ·转换增益（Conversion Gain） | 第25页 |
| ·噪声系数（Noise Figure） | 第25-27页 |
| ·线性度（Linearity） | 第27-31页 |
| ·端口隔离度（Isolation） | 第31-33页 |
| 第三章 晶体管噪声模型 | 第33-42页 |
| ·噪声源分类 | 第33-36页 |
| ·热噪声（Thermal Noise） | 第33-34页 |
| ·散粒噪声（Shot Noise） | 第34页 |
| ·闪烁噪声（Flicker Noise） | 第34-35页 |
| ·爆米噪声（Popcorn Noise） | 第35-36页 |
| ·传统MOSFETS 噪声模型 | 第36-39页 |
| ·沟道热噪声（Channel Thermal Noise） | 第36页 |
| ·栅极感应噪声（Induced Gate Noise） | 第36-37页 |
| ·闪烁噪声 | 第37-38页 |
| ·MOSFETs 复合噪声模型 | 第38-39页 |
| ·热噪声、散粒噪声统一模型 | 第39-42页 |
| ·模型说明 | 第39-41页 |
| ·热噪声、散粒噪声统一表达式 | 第41-42页 |
| 第四章 有源CMOS 混频器噪声分析 | 第42-62页 |
| ·有源CMOS 混频器大信号模型（LARGE-SIGNAL MODEL） | 第43-48页 |
| ·MOSFETs 伏安特性及开关对大信号公式 | 第43-45页 |
| ·混频器大信号模型及转换增益 | 第45-48页 |
| ·噪声分析（NOISE ANALYSIS） | 第48-62页 |
| ·开关引入的噪声（Noise from the Switches） | 第49-50页 |
| ·跨导级引入的噪声（Noise from the Transconductance Stage） | 第50-52页 |
| ·输出加性噪声和噪声系数（Output Added Noise & Noise Figure） | 第52-53页 |
| ·结果及分析 | 第53-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| ·本文工作总结 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 附录 | 第63-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第72-73页 |
