| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·BN 的结构与基本性质 | 第15-16页 |
| ·一维BN 微纳米材料的研究现状 | 第16-24页 |
| ·BN 纤维 | 第16-18页 |
| ·BN 纳米管 | 第18-23页 |
| ·BN 晶须 | 第23-24页 |
| ·其它BN 微纳米材料的研究现状 | 第24-27页 |
| ·SiC/BN 核/壳纳米电缆 | 第24-27页 |
| ·BN 薄片 | 第27页 |
| ·BN 纳米晶片 | 第27页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第29-32页 |
| ·实验用化学试剂 | 第29页 |
| ·材料制备方法 | 第29-30页 |
| ·分析表征方法 | 第30-31页 |
| ·物相表征方法 | 第30页 |
| ·形貌及结构的表征方法 | 第30-31页 |
| ·性能测试方法 | 第31页 |
| ·差热-热重分析 | 第31页 |
| ·计算机模拟方法 | 第31-32页 |
| 第3章 氨硼烷的成键特征及其分解行为研究 | 第32-45页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·氨硼烷的合成 | 第33-34页 |
| ·氨硼烷的成键特征及分解机制 | 第34-39页 |
| ·氨硼烷的晶胞结构 | 第34-36页 |
| ·氨硼烷的态密度分析 | 第36-37页 |
| ·氨硼烷的差分电荷密度分析 | 第37-38页 |
| ·氨硼烷的分解机制 | 第38-39页 |
| ·氨硼烷受热分解的实验研究 | 第39-43页 |
| ·氨硼烷的TG-DSC-MS 分析 | 第40页 |
| ·氨硼烷热分解产物的结构表征 | 第40-43页 |
| ·BN 晶片的阴极射线光谱 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 BN 纳米管与BN 晶须的制备及性能研究 | 第45-76页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·BN 纳米管的制备及性能研究 | 第45-58页 |
| ·BN 纳米管的制备 | 第45-46页 |
| ·BN 纳米管的结构表征 | 第46-51页 |
| ·催化剂对BN 纳米管生长的影响 | 第51-52页 |
| ·初始压强和反应温度对BN 纳米管生长的影响 | 第52页 |
| ·BN 纳米管的生长机制 | 第52-55页 |
| ·BN 纳米管的光学性能 | 第55-56页 |
| ·竹节状BN 纳米管的磁学性能 | 第56-58页 |
| ·BN 晶须的制备及发光性能研究 | 第58-70页 |
| ·BN 晶须的制备 | 第59页 |
| ·BN 晶须的形貌及结构表征 | 第59-64页 |
| ·初始压强和反应温度对BN 晶须生长的影响 | 第64-66页 |
| ·BN 晶须的生长机制 | 第66-68页 |
| ·BN 晶须的发光性能 | 第68-70页 |
| ·BN 片层从催化剂中析出的热力学模型 | 第70-74页 |
| ·模型的建立 | 第70-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第5章 BN 微米空心球的制备及光学性能研究 | 第76-97页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·碗状BN 微米空心球的制备及光学性能研究 | 第77-88页 |
| ·碗状BN 微米空心球的制备 | 第77页 |
| ·碗状BN 微米空心球的结构表征 | 第77-81页 |
| ·工艺参数对BN 微米空心球生长的影响 | 第81-83页 |
| ·碗状BN 微米空心球的生长机制 | 第83-85页 |
| ·碗状BN 微米空心球的拉曼光谱 | 第85-88页 |
| ·碗状BN 微米空心球的阴极荧光性能 | 第88页 |
| ·鸟巢状BN 微米空心球的制备及荧光性能研究 | 第88-96页 |
| ·鸟巢状BN 微米空心球的制备 | 第88-90页 |
| ·鸟巢状BN 微米空心球的结构表征 | 第90-94页 |
| ·鸟巢状BN 微米空心球的生长机制 | 第94-95页 |
| ·鸟巢状BN 微米空心球的阴极荧光性能 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第6章 SiC/SiO_2/BN 纳米电缆及多晶BN 纳米带的制备及荧光性能研究 | 第97-115页 |
| ·引言 | 第97-98页 |
| ·SiC/SiO_2/BN 纳米电缆的制备及荧光性能研究 | 第98-109页 |
| ·SiC/SiO_2/BN 纳米电缆的制备 | 第98页 |
| ·SiC/SiO_2/BN 纳米电缆的结构表征 | 第98-103页 |
| ·气氛浓度对SiC/SiO_2/BN 纳米电缆生长的影响 | 第103-107页 |
| ·SiC/BN 纳米电缆的制备 | 第107页 |
| ·SiC/SiO_2/BN 纳米电缆的生长机制 | 第107-108页 |
| ·SiC/SiO_2/BN 纳米电缆的光致发光性能 | 第108-109页 |
| ·多晶BN 纳米带的制备及工艺研究 | 第109-114页 |
| ·多晶BN 纳米带的制备 | 第110-111页 |
| ·多晶BN 纳米带的结构表征 | 第111-113页 |
| ·多晶BN 纳米带的生长机制 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 结论 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-133页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第133-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 个人简历 | 第138页 |
