摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-14页 |
第1章 绪论 | 第14-32页 |
·氮化物的发展历史 | 第14-15页 |
·GaN 基HEMT 的概况 | 第15-19页 |
·氮化物的基本性质 | 第19-23页 |
·AlInN 材料生长及In 在氮化物生长中作用 | 第23-27页 |
·MOCVD 方法制备InN 和AlN 薄膜 | 第24-25页 |
·AlInN 材料的生长 | 第25-26页 |
·In 在氮化物生长中作用 | 第26-27页 |
·LM AlInN 材料的应用 | 第27-31页 |
·分布布拉格反射镜和微腔 | 第27-29页 |
·量子阱结构的光电器件 | 第29页 |
·HEMT | 第29-31页 |
·选题的意义和主要内容 | 第31-32页 |
第2章 样品制备和试验方法 | 第32-47页 |
·MOCVD 生长方法 | 第32-35页 |
·MOCVD 生长系统 | 第32-34页 |
·MOCVD 生长原理 | 第34-35页 |
·样品的制备与测试 | 第35-46页 |
·样品的制备 | 第35-37页 |
·非接触式霍尔 | 第37-39页 |
·磁输运 | 第39-42页 |
·双晶X 射线(DCXRD) | 第42-44页 |
·XRD 倒易空间图(RSM) | 第44-45页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第45页 |
·透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM) | 第45-46页 |
·二次离子发射谱(SIMS)和X 射线光电子谱(XPS) | 第46页 |
·器件制备和测试 | 第46-47页 |
第3章 AlInN/GaN 异质结材料的生长 | 第47-71页 |
·AlInN 中纵向组分不均匀现象 | 第47-50页 |
·AlInN 中纵向组分不均匀的产生机制 | 第50-57页 |
·表面形貌随厚度的演化 | 第50-51页 |
·确定表面纳米岛的组分 | 第51-52页 |
·表面形貌对In 滴密度的影响 | 第52-55页 |
·In 滴形成机制及对组分不均匀影响 | 第55-57页 |
·AlInN 薄膜晶体质量的优化 | 第57-67页 |
·生长速率对AlInN 薄膜的影响 | 第57页 |
·H2 对AlInN 薄膜的影响 | 第57-61页 |
·生长温度对AlInN 薄膜的影响 | 第61-64页 |
·V/III 对AlInN 薄膜的影响 | 第64-67页 |
·高质量LM AlInN/GaN 薄膜 | 第67-69页 |
·本章小结 | 第69-71页 |
第4章 双沟道AlInN/GaN HEMT 的理论设计和器件模拟 | 第71-93页 |
·GaN 基异质结中电子迁移率的计算 | 第71-79页 |
·波尔兹曼方程 | 第71-73页 |
·Fermi’s Golden 法则 | 第73-74页 |
·半导体中电子迁移率的计算 | 第74-75页 |
·二维电子气的散射机制 | 第75-78页 |
·计算结果与实验结果的比较 | 第78-79页 |
·AlInN/GaN 异质结中散射机制的研究 | 第79-83页 |
·合金无序化散射的影响 | 第79-81页 |
·界面粗糙度的影响 | 第81-82页 |
·面电子浓度的影响 | 第82-83页 |
·AlInN/GaN 双异质结构的设计 | 第83-86页 |
·异质结能带模型的建立 | 第84页 |
·双沟道AlInN/GaN HEMT 的理论设计 | 第84-86页 |
·双沟道AlInN/GaN HEMT 的模拟 | 第86-92页 |
·模型建立 | 第86-88页 |
·直流I-V 特性 | 第88-90页 |
·栅压对沟道中2DEG 的调控 | 第90-92页 |
·本章小结 | 第92-93页 |
第5章 双沟道AlInN/GaN HEMT 的制备和I-V 输出特性研究 | 第93-111页 |
·双沟异质结的制备和电学性能分析 | 第93-100页 |
·结构表征 | 第93-95页 |
·电学性能表征 | 第95-100页 |
·提高大面积均匀性 | 第100-105页 |
·双沟道AlInN/GaNHEMT 电流输出特性的研究 | 第105-110页 |
·直流I-V 输出特性 | 第105-106页 |
·动态I-V 输出特性 | 第106-110页 |
·本章小结 | 第110-111页 |
结论 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-123页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第123-125页 |
致谢 | 第125-126页 |
个人简历 | 第126页 |