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AlInN/GaN异质结薄膜生长和双沟道HEMT电学特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-14页
第1章 绪论第14-32页
   ·氮化物的发展历史第14-15页
   ·GaN 基HEMT 的概况第15-19页
   ·氮化物的基本性质第19-23页
   ·AlInN 材料生长及In 在氮化物生长中作用第23-27页
     ·MOCVD 方法制备InN 和AlN 薄膜第24-25页
     ·AlInN 材料的生长第25-26页
     ·In 在氮化物生长中作用第26-27页
   ·LM AlInN 材料的应用第27-31页
     ·分布布拉格反射镜和微腔第27-29页
     ·量子阱结构的光电器件第29页
     ·HEMT第29-31页
   ·选题的意义和主要内容第31-32页
第2章 样品制备和试验方法第32-47页
   ·MOCVD 生长方法第32-35页
     ·MOCVD 生长系统第32-34页
     ·MOCVD 生长原理第34-35页
   ·样品的制备与测试第35-46页
     ·样品的制备第35-37页
     ·非接触式霍尔第37-39页
     ·磁输运第39-42页
     ·双晶X 射线(DCXRD)第42-44页
     ·XRD 倒易空间图(RSM)第44-45页
     ·原子力显微镜(AFM)第45页
     ·透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)第45-46页
     ·二次离子发射谱(SIMS)和X 射线光电子谱(XPS)第46页
   ·器件制备和测试第46-47页
第3章 AlInN/GaN 异质结材料的生长第47-71页
   ·AlInN 中纵向组分不均匀现象第47-50页
   ·AlInN 中纵向组分不均匀的产生机制第50-57页
     ·表面形貌随厚度的演化第50-51页
     ·确定表面纳米岛的组分第51-52页
     ·表面形貌对In 滴密度的影响第52-55页
     ·In 滴形成机制及对组分不均匀影响第55-57页
   ·AlInN 薄膜晶体质量的优化第57-67页
     ·生长速率对AlInN 薄膜的影响第57页
     ·H2 对AlInN 薄膜的影响第57-61页
     ·生长温度对AlInN 薄膜的影响第61-64页
     ·V/III 对AlInN 薄膜的影响第64-67页
   ·高质量LM AlInN/GaN 薄膜第67-69页
   ·本章小结第69-71页
第4章 双沟道AlInN/GaN HEMT 的理论设计和器件模拟第71-93页
   ·GaN 基异质结中电子迁移率的计算第71-79页
     ·波尔兹曼方程第71-73页
     ·Fermi’s Golden 法则第73-74页
     ·半导体中电子迁移率的计算第74-75页
     ·二维电子气的散射机制第75-78页
     ·计算结果与实验结果的比较第78-79页
   ·AlInN/GaN 异质结中散射机制的研究第79-83页
     ·合金无序化散射的影响第79-81页
     ·界面粗糙度的影响第81-82页
     ·面电子浓度的影响第82-83页
   ·AlInN/GaN 双异质结构的设计第83-86页
     ·异质结能带模型的建立第84页
     ·双沟道AlInN/GaN HEMT 的理论设计第84-86页
   ·双沟道AlInN/GaN HEMT 的模拟第86-92页
     ·模型建立第86-88页
     ·直流I-V 特性第88-90页
     ·栅压对沟道中2DEG 的调控第90-92页
   ·本章小结第92-93页
第5章 双沟道AlInN/GaN HEMT 的制备和I-V 输出特性研究第93-111页
   ·双沟异质结的制备和电学性能分析第93-100页
     ·结构表征第93-95页
     ·电学性能表征第95-100页
   ·提高大面积均匀性第100-105页
   ·双沟道AlInN/GaNHEMT 电流输出特性的研究第105-110页
     ·直流I-V 输出特性第105-106页
     ·动态I-V 输出特性第106-110页
   ·本章小结第110-111页
结论第111-112页
参考文献第112-123页
攻读学位期间发表的学术论文第123-125页
致谢第125-126页
个人简历第126页

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