| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 一 引言 | 第7-10页 |
| ·稀磁半导体的概述 | 第7-8页 |
| ·Ⅳ族基稀磁半导体的研究概述 | 第8-9页 |
| ·选题依据和本文主要工作 | 第9-10页 |
| 二 薄膜的制备及表征手段 | 第10-13页 |
| ·磁控溅射法 | 第10页 |
| ·基片的清洗 | 第10页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第10页 |
| ·离子注入法 | 第10-12页 |
| ·离子注入全过程的简单介绍 | 第10-11页 |
| ·离子注入技术在工业生产中的应用 | 第11-12页 |
| ·样品的表征方法 | 第12-13页 |
| 三 离子注入(Fe、Co)对Mn_xGe_(1-x)薄膜性质的影响 | 第13-24页 |
| ·样品的制备 | 第13页 |
| ·样品的形貌结构、元素价态及微结构分析 | 第13-18页 |
| ·样品的磁学性质 | 第18-21页 |
| ·样品的电输运性质 | 第21-22页 |
| ·本章结论 | 第22-24页 |
| 四 Co、N 离子共注入Si 样品的结构及磁性 | 第24-30页 |
| ·样品的制备 | 第24页 |
| ·样品结构分析及元素化合价态 | 第24-27页 |
| ·样品的磁学特征 | 第27-29页 |
| ·本章结论 | 第29-30页 |
| 五 结论 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-37页 |
| 致谢 | 第37页 |