| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第16页 |
| 1.2 氧化物TFT概述 | 第16-20页 |
| 1.2.1 氧化物TFT的发展 | 第16-17页 |
| 1.2.2 氧化物TFT的工作原理 | 第17-18页 |
| 1.2.3 氧化物TFT的主要参数 | 第18-20页 |
| 1.3 瞬态氧化物TFT的发展及研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3.1 瞬态氧化物TFT的发展 | 第20页 |
| 1.3.2 瞬态氧化物TFT的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 氧化物半导体材料的性质及氧化物TFT的器件结构 | 第22-36页 |
| 2.1 氧化物半导体材料性质介绍 | 第22-24页 |
| 2.1.1 氧化锌半导体材料 | 第22-23页 |
| 2.1.2 氧化铟半导体材料 | 第23页 |
| 2.1.3 氧化镓半导体材料 | 第23-24页 |
| 2.2 氧化物TFT的载流子输运特性 | 第24-25页 |
| 2.3 氧化物TFT的稳定性 | 第25-29页 |
| 2.3.1 氧化物TFT的偏压稳定性 | 第25-26页 |
| 2.3.2 光辐照对氧化物TFT性能的影响 | 第26-28页 |
| 2.3.3 其他条件对氧化物TFT的影响 | 第28-29页 |
| 2.4 氧化物TFT有源层的制备方法 | 第29-31页 |
| 2.4.1 溅射法 | 第29页 |
| 2.4.2 脉冲激光沉积 | 第29-30页 |
| 2.4.3 分子束外延 | 第30页 |
| 2.4.4 金属有机物气相沉积 | 第30-31页 |
| 2.4.5 溶液法 | 第31页 |
| 2.5 氧化物TFT的器件结构 | 第31-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 实验方法 | 第36-42页 |
| 3.1 试剂与仪器 | 第36-37页 |
| 3.1.1 主要试剂 | 第36页 |
| 3.1.2 主要仪器 | 第36-37页 |
| 3.2 溶液法制备氧化锌薄膜 | 第37-38页 |
| 3.2.1 氧化锌前驱液的制备 | 第37-38页 |
| 3.2.2 氧化物前驱液的旋涂及退火 | 第38页 |
| 3.3 制备氧化物TFT器件 | 第38-39页 |
| 3.4 材料的表征 | 第39-40页 |
| 3.5 器件的表征 | 第40-41页 |
| 3.5.1 基本I-V曲线测试 | 第40页 |
| 3.5.2 器件长期存放稳定性测试 | 第40页 |
| 3.5.3 器件偏压稳定性测试 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 氧化锌材料表征及溶解特性研究 | 第42-50页 |
| 4.1 氧化锌材料表征 | 第42-44页 |
| 4.1.1 薄膜形貌表征 | 第42页 |
| 4.1.2 薄膜的光学特性 | 第42-44页 |
| 4.2 氧化锌的溶解特性 | 第44-49页 |
| 4.2.1 实验准备 | 第44-45页 |
| 4.2.2 溶解特性 | 第45-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 氧化物TFT性能研究 | 第50-68页 |
| 5.1 浸泡铝方式掺杂铝氧化锌TFT | 第50-54页 |
| 5.1.1 器件制备 | 第50-51页 |
| 5.1.2 器件表征 | 第51-54页 |
| 5.2 磁控溅射方式掺杂铝氧化锌TFT | 第54-60页 |
| 5.2.1 器件制备 | 第54-55页 |
| 5.2.2 器件表征 | 第55-60页 |
| 5.3 IGZO TFT | 第60-62页 |
| 5.3.1 器件制备 | 第60-61页 |
| 5.3.2 器件表征 | 第61-62页 |
| 5.4 IZO TFT | 第62-65页 |
| 5.4.1 器件制备 | 第62页 |
| 5.4.2 器件表征 | 第62-65页 |
| 5.5 氧化锌TFT瞬态器件的制备与溶解 | 第65-66页 |
| 5.6 本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 总结 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |