| 摘要 | 第14-18页 |
| ABSTRACT | 第18-23页 |
| 符号说明 | 第24-25页 |
| 第一章 绪论 | 第25-57页 |
| 1.1 有机小分子半导体材料的简介 | 第26-36页 |
| 1.1.1 有机半导体材料的电子结构及导电过程 | 第27-30页 |
| 1.1.2 分子轨道理论 | 第30-32页 |
| 1.1.3 配位场理论 | 第32-33页 |
| 1.1.4 能带理论 | 第33页 |
| 1.1.5 有机材料中的电子能级 | 第33-34页 |
| 1.1.6 有机小分子半导体中光与物质的相互作用过程 | 第34-36页 |
| 1.2 分子晶体的结晶过程 | 第36-39页 |
| 1.2.1 成核 | 第36-38页 |
| 1.2.2 生长 | 第38-39页 |
| 1.2.3 固态过程 | 第39页 |
| 1.3 八羟基喹啉配合物有机小分子材料 | 第39-41页 |
| 1.4 有机自旋阀 | 第41-47页 |
| 1.4.1 自旋电子学 | 第41-42页 |
| 1.4.2 自旋的注入及输运 | 第42-44页 |
| 1.4.3 有机自旋电子学 | 第44-47页 |
| 1.5 本论文主要的研究目的和内容 | 第47-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 第二章 样品制备和测试分析方法 | 第57-81页 |
| 2.1 实验材料 | 第57-62页 |
| 2.1.1 八羟基喹啉锌(Bis (8-hydroxyquinoline) zinc,ZnQ_2) | 第57-59页 |
| 2.1.2 八羟基喹啉铜(Bis (8-hydroxyquinoline) copper,CuQ_2) | 第59-61页 |
| 2.1.3 镧锶锰氧(LSMO) | 第61-62页 |
| 2.2 晶体的制备方法与装置介绍 | 第62-67页 |
| 2.2.1 物理气相沉积(physical vapor deposition, PVD) | 第62-64页 |
| 2.2.2 真空热蒸发镀膜及双温区管式炉退火 | 第64-66页 |
| 2.2.3 其他生长有机单晶的方法 | 第66-67页 |
| 2.3 LSMO电极的制备方法与装置介绍 | 第67-72页 |
| 2.3.1 光刻 | 第67-69页 |
| 2.3.2 共焦离子束刻蚀(FIB) | 第69-71页 |
| 2.3.3 离子束刻蚀(EBI) | 第71-72页 |
| 2.4 测试分析方法 | 第72-78页 |
| 2.4.1 结构及成分的分析 | 第72-75页 |
| 2.4.2 表面形貌的表征 | 第75-76页 |
| 2.4.3 光学性质测量 | 第76-77页 |
| 2.4.4 磁学性质测量 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第三章 PVD法制备无水四聚体八羟基喹啉锌晶体 | 第81-93页 |
| 3.1 引言 | 第82-83页 |
| 3.2 实验过程 | 第83-84页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第84-89页 |
| 3.4 总结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第四章 有机薄膜从固态到固态的结构转变:经典与非经典结晶过程 | 第93-111页 |
| 4.1 引言 | 第94-95页 |
| 4.2 实验过程 | 第95-96页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第96-105页 |
| 4.4 总结 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-111页 |
| 第五章 八羟基喹啉铜薄膜在高温下的结构变化:晶化与挥发的竞争 | 第111-123页 |
| 5.1 引言 | 第112-113页 |
| 5.2 实验过程 | 第113页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第113-119页 |
| 5.4 总结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-123页 |
| 第六章 总结及展望 | 第123-131页 |
| 6.1 总结 | 第123-126页 |
| 6.2 展望及有机自旋器件探索 | 第126-131页 |
| 附图、表目录及说明 | 第131-135页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 附录:发表英文论文 | 第139-150页 |
| 附件 | 第150页 |
