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有机半导体态密度及其在材料与器件中的相关性质研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第12-23页
    1.1 研究背景与意义第12-16页
    1.2 国内外研究历史与现状第16-19页
    1.3 本文的主要工作第19-21页
    1.4 本文的结构安排第21-23页
第二章 有机半导体材料的态密度和迁移率模型第23-34页
    2.1 引言第23页
    2.2 态密度分布第23-27页
        2.2.1 高斯态密度第24页
        2.2.2 指数态密度第24-25页
        2.2.3 其他形式的态密度第25-26页
        2.2.4 四种指数型态密度第26-27页
    2.3 费米分布函数和玻尔兹曼分布函数第27页
    2.4 载流子跃迁模型第27-30页
        2.4.1 Miller-Abrahams跳跃模型第28页
        2.4.2 极化子模型第28-30页
    2.5 求解载流子迁移率理论模型第30-33页
        2.5.1 渗流理论模型第30-31页
        2.5.2 有效介质模型第31-33页
    2.6 本章小结第33-34页
第三章 基于态密度的载流子迁移率第34-65页
    3.1 引言第34页
    3.2 载流子迁移率模型及结果第34-38页
    3.3 基于高斯态密度的载流子迁移率第38-47页
        3.3.1 费米能级与载流子浓度的关系第38-39页
        3.3.2 费米能级与载流子迁移率的关系第39-44页
        3.3.3 载流子浓度与迁移率的关系第44-46页
        3.3.4 与实验数据对比第46-47页
    3.4 基于指数密度的载流子迁移率第47-53页
        3.4.1 费米能级与载流子浓度的关系第47-49页
        3.4.2 费米能级与载流子迁移率的关系第49-52页
        3.4.3 载流子浓度与迁移率的关系第52-53页
    3.5 基于尾部截断的指数密度的载流子迁移率第53-64页
        3.5.1 费米能级与载流子浓度的关系第54-55页
        3.5.2 费米能级与载流子迁移率的关系第55-60页
        3.5.3 载流子浓度与迁移率的关系第60-63页
        3.5.4 与实验数据对比第63-64页
    3.6 本章小结第64-65页
第四章 基于态密度的广义爱因斯坦关系第65-88页
    4.1 引言第65-67页
    4.2 求解广义的爱因斯坦关系的理论模型第67-71页
    4.3 基于高斯态密度的广义爱因斯坦关系第71-76页
        4.3.1 广义爱因斯坦系数与温度的关系第71-73页
        4.3.2 广义爱因斯坦系数与载流子浓度的关系第73-76页
    4.4 基于尾部截断的指数密度的广义爱因斯坦关系第76-87页
        4.4.1 广义爱因斯坦系数与温度的关系第76-78页
        4.4.2 广义爱因斯坦系数与载流子浓度的关系第78-82页
        4.4.3 不同截断系数下广义爱因斯坦系数与载流子浓度的关系第82-85页
        4.4.4 与实验数据对比第85-87页
    4.5 本章小结第87-88页
第五章 基于态密度的塞贝克系数第88-103页
    5.1 引言第88-90页
    5.2 求解塞贝克系数的理论模型第90-97页
        5.2.1 塞贝克系数的一般描述第90-91页
        5.2.2 基于玻尔兹曼方程的塞贝克系数第91-93页
        5.2.3 无序半导体材料中求解塞贝克系数的模型第93-94页
        5.2.4 极化子模型中求解塞贝克系数的方法第94-95页
        5.2.5 基于Miller-Abrahams跃迁模型的塞贝克系数求解方法第95-97页
    5.3 塞贝克系数的理论结果第97-101页
        5.3.1 基于极化子模型的塞贝克系数理论结果第97-99页
        5.3.2 基于尾部截断指数态密度的塞贝克系数第99-101页
    5.4 本章小结第101-103页
第六章 总结与展望第103-105页
致谢第105-106页
参考文献第106-117页
攻读博士学位期间取得的成果第117页

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