| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 论文研究背景 | 第12-25页 |
| 1.1.1 GaN材料特性 | 第13-15页 |
| 1.1.2 GaN HEMT器件 | 第15-21页 |
| 1.1.3 GaN HEMT器件应用 | 第21-24页 |
| 1.1.4 GaN HEMT器件模型 | 第24-25页 |
| 1.2 论文结构及主要内容 | 第25-27页 |
| 2 GaN HEMT器件 | 第27-38页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结的特点 | 第27-31页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结 | 第27-28页 |
| 2.1.2 自发极化和压电极化 | 第28-31页 |
| 2.2 GaN HEMT器件的特性 | 第31-37页 |
| 2.2.1 器件的典型结构 | 第31-32页 |
| 2.2.2 2DEG沟道的形成 | 第32-34页 |
| 2.2.3 迁移率 | 第34-36页 |
| 2.2.4 直流特性与频率特性 | 第36-37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 GaN HEMT器件模型 | 第38-48页 |
| 3.1 紧凑型和查表基模型 | 第38-40页 |
| 3.2 常见HEMT器件紧凑型模型构架方法 | 第40-47页 |
| 3.2.1 Pao-sah模型 | 第42-45页 |
| 3.2.2 PSP模型 | 第45-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 GaN HEMT器件的表面势模型方程 | 第48-62页 |
| 4.1 GaN HEMT器件的表面势模型方程的推导 | 第48-53页 |
| 4.1.1 费米势的计算 | 第50页 |
| 4.1.2 极化效应的影响 | 第50-51页 |
| 4.1.3 表面势方程 | 第51-53页 |
| 4.2 表面势方程解析求解 | 第53-58页 |
| 4.3 解析求解结果的验证 | 第58-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 基于表面势GaN HEMT器件模型的内核方程 | 第62-76页 |
| 5.1 电流方程 | 第62-67页 |
| 5.2 改进的GaN HEMT器件沟道迁移率模型 | 第67-69页 |
| 5.3 本征电荷模型方程 | 第69-71页 |
| 5.4 模型内核方程的验证 | 第71-75页 |
| 5.4.1 Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN HEMT器件直流特性的仿真验证 | 第72-73页 |
| 5.4.2 Al_(0.3)Ga_(0.7)N/AlN/GaN HEMT器件直流特性的仿真验证 | 第73-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 6 紧凑型模型拓扑和模型实现 | 第76-92页 |
| 6.1 模型拓扑结构 | 第76-77页 |
| 6.2 非本征结构偏压相关元件模型方程 | 第77-79页 |
| 6.3 小信号近似 | 第79-80页 |
| 6.4 模型在商用EDA工具中的实现 | 第80-83页 |
| 6.5 测试系统 | 第83-85页 |
| 6.6 模型参数提取方法 | 第85-87页 |
| 6.7 紧凑型模型验证 | 第87-91页 |
| 6.8 本章小结 | 第91-92页 |
| 7 总结与展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-103页 |
| 读博士学位期间主要的研究成果 | 第103页 |
