| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 半导体自旋电子学 | 第9-10页 |
| 1.2 稀磁性半导体(Ga,Mn)As | 第10-17页 |
| 1.2.1 (Ga,Mn)As的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 (Ga,Mn)As的磁性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 (Ga,Mn)As的磁输运性质 | 第13-16页 |
| 1.2.3.1 反常霍尔效应 | 第13-14页 |
| 1.2.3.2 电阻的温度依赖性 | 第14-15页 |
| 1.2.3.3 磁晶各向异性电阻 | 第15-16页 |
| 1.2.3.4 (Ga,Mn)As的磁光性质 | 第16页 |
| 1.2.4 提高居里温度的方法 | 第16-17页 |
| 1.3 四元铁磁半导体 | 第17-22页 |
| 1.3.1 (In,Ga,Mn)As的简单介绍 | 第17-18页 |
| 1.3.2 (Al,Ga,Mn)As的简单介绍 | 第18-19页 |
| 1.3.3 (Ga,Mn)(As,P)的简单介绍 | 第19-20页 |
| 1.3.4 (Ga,Mn)(As,Sb)的简单介绍 | 第20-22页 |
| 1.4 本论文的研究内容、意义和组织结构 | 第22-23页 |
| 第2章 材料生长测试技术 | 第23-28页 |
| 2.1 分子束外延生长技术 | 第23-25页 |
| 2.2 超导量子干涉仪(SQUID) | 第25-26页 |
| 2.3 物性测量系统(PPMS) | 第26-28页 |
| 第3章 四元铁磁半导体(Ga,Mn)(As,Sb)的基本研究 | 第28-42页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 (Ga,Mn)(As,Sb)样品的制备 | 第29页 |
| 3.3 (Ga,Mn)(As,Sb)的磁性质研究 | 第29-32页 |
| 3.4 (Ga,Mn)(As,Sb)的各向异性研究 | 第32-40页 |
| 3.4.1 (Ga,Mn)As的各向异性磁阻对温度的依赖 | 第32-35页 |
| 3.4.2 Sb含量对(Ga,Mn)(As,Sb)的各向异性磁阻的影响 | 第35-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 结论与展望 | 第42-44页 |
| 4.1 全文总结 | 第42页 |
| 4.2 展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
