| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 VO_2材料的国内外研究进展 | 第12-15页 |
| 1.3 VO_2的相变理论 | 第15-18页 |
| 1.3.1 VO_2相变前后的晶体结构 | 第15-16页 |
| 1.3.2 VO_2相变的热力学分析 | 第16页 |
| 1.3.3 VO_2相变特性 | 第16-18页 |
| 1.4 实验所用材料性能简介 | 第18-23页 |
| 1.4.1 石墨烯的基本性质及应用 | 第18-20页 |
| 1.4.2 纳米氧化锌(ZnO)的基本性质及其应用 | 第20-21页 |
| 1.4.3 钙钛矿(CH_3NH_3PbI_3)的基本性质及其应用 | 第21-23页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第23-24页 |
| 第二章 表征方法简介 | 第24-30页 |
| 2.1 前言 | 第24页 |
| 2.2 扫描电子显微镜(SEM)简介 | 第24-25页 |
| 2.3 X射线衍射技术(XRD)简介 | 第25-26页 |
| 2.4 拉曼光谱简介 | 第26-28页 |
| 2.5 电学性质测量仪器简介 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 VO_2薄膜及其复合薄膜的制备 | 第30-43页 |
| 3.1 前言 | 第30-31页 |
| 3.2 VO_2薄膜的制备 | 第31-33页 |
| 3.2.1 前驱体溶液的配置 | 第31-32页 |
| 3.2.2 前驱体溶液在基片上的旋涂 | 第32页 |
| 3.2.3 退火处理过程 | 第32-33页 |
| 3.3 石墨烯/VO_2复合薄膜的制备 | 第33-39页 |
| 3.3.1 机械剥离法制备石墨烯/VO_2复合薄膜 | 第33-35页 |
| 3.3.2 石墨烯层数的Raman检测 | 第35-36页 |
| 3.3.3 剥离法制备石墨烯/VO_2复合薄膜存在的问题 | 第36页 |
| 3.3.4 石墨烯在VO_2薄膜上的湿法转移 | 第36-39页 |
| 3.4 纳米氧化锌(ZnO)/VO_2复合薄膜的制备 | 第39-40页 |
| 3.5 CH_3NH_3PbI_3/VO_2复合薄膜的制备 | 第40-42页 |
| 3.5.1 制备CH_3NH_3PbI_3的实验原料及仪器 | 第40-41页 |
| 3.5.2 CH_3NH_3PbI_3在VO_2薄膜上的旋涂 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 石墨烯/VO_2与ZnO/VO_2复合薄膜光电性质的研究 | 第43-50页 |
| 4.1 前言 | 第43页 |
| 4.2 VO_2薄膜形貌及相变特性的标定 | 第43-44页 |
| 4.3 石墨烯/VO_2、ZnO/VO_2复合薄膜变温下的拉曼分析 | 第44-47页 |
| 4.4 石墨烯/VO_2外加电场状态下的拉曼调制 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 CH_3NH_3PbI_3/VO_2复合薄膜光电性质的研究 | 第50-64页 |
| 5.1 前言 | 第50页 |
| 5.2 CH_3NH_3PbI_3与CH_3NH_3PbI_3/VO_2复合薄膜形貌及结构的分析 | 第50-52页 |
| 5.3 CH_3NH_3PbI_3/VO_2异质结光照下的电特性分析 | 第52-58页 |
| 5.4 CH_3NH_3PbI_3/VO_2异质结拉曼下的频谱分析 | 第58-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 结论 | 第64-65页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73页 |
