| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-17页 |
| 1.1.1 二维材料简介 | 第10-11页 |
| 1.1.2 单层二硫化钼薄膜的结构性质与应用 | 第11-13页 |
| 1.1.3 单层二硫化钼薄膜制备方法简介 | 第13-17页 |
| 1.2 光探测器简介及其特点优势 | 第17-20页 |
| 1.2.1 半导体光探测器简介 | 第17-18页 |
| 1.2.2 二维材料光探测器的特点及优势 | 第18-20页 |
| 1.3 选题依据与研究意义 | 第20页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验方法 | 第22-29页 |
| 2.1 实验材料 | 第22页 |
| 2.2 实验仪器 | 第22-23页 |
| 2.3 材料表征和分析 | 第23-28页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第26页 |
| 2.3.4 激光拉曼光谱 | 第26-27页 |
| 2.3.5 光致发光能谱 | 第27页 |
| 2.3.6 X-射线衍射 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 化学气相沉积制备单层二硫化钼 | 第29-46页 |
| 3.1 实验过程 | 第29-30页 |
| 3.2 各类生长条件对薄膜生长的影响。 | 第30-41页 |
| 3.2.1 Mo源及S源的量对二硫化钼生长的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.2 Mo源及S源的加热温度对二硫化钼生长的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.3 氩气流速对二硫化钼生长的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.4 生长时间对二硫化钼生长的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.5 衬底与钼源的距离对二硫化钼生长的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.6 硫蒸汽引入的时机对二硫化钼生长的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.7 通过CVD制备单层硫化钼薄膜的最佳工艺参数 | 第41页 |
| 3.3 CVD生长二硫化钼薄膜的表征 | 第41-45页 |
| 3.3.1 单层二硫化钼薄膜的形貌表征 | 第41-42页 |
| 3.3.2 二硫化钼薄膜的拉曼性质 | 第42-44页 |
| 3.3.3 二硫化钼的光致发光性质 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 单层二硫化钼光探测器的制造和性能测试 | 第46-57页 |
| 4.1 单层二硫化钼光探测器的制造 | 第46-51页 |
| 4.1.1 工艺步骤 | 第46-47页 |
| 4.1.2 表面处理 | 第47-48页 |
| 4.1.3 光刻工艺 | 第48-50页 |
| 4.1.4 镀膜工艺 | 第50页 |
| 4.1.5 热退火工艺 | 第50-51页 |
| 4.2 单层二硫化钼光探测器的性能测试 | 第51-56页 |
| 4.2.1 单层二硫化钼光探测器的暗电流和光电流 | 第52-53页 |
| 4.2.2 单层二硫化钼光探测器的光响应率 | 第53-55页 |
| 4.2.3 单层二硫化钼光探测器的光响应速度 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 全文总结 | 第57-58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65页 |