| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 铁电HfO_2薄膜的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 铁电HfO_2薄膜的研究现状 | 第10-18页 |
| 1.2.1 HfO_2晶体结构与相变 | 第10-11页 |
| 1.2.2 薄膜制备的工艺参数 | 第11-17页 |
| 1.2.2.1 Zr掺杂的铁电HfO_2薄膜 | 第11-13页 |
| 1.2.2.2 Al掺杂的铁电HfO_2薄膜 | 第13-15页 |
| 1.2.2.3 Si掺杂的铁电HfO_2薄膜 | 第15-16页 |
| 1.2.2.4 Y掺杂的铁电HfO_2薄膜 | 第16-17页 |
| 1.2.3 其他工艺条件和变量 | 第17-18页 |
| 1.3 课题核心研究内容及研究意义 | 第18-19页 |
| 1.3.1 本文研究内容 | 第18页 |
| 1.3.2 本文的特色 | 第18-19页 |
| 第二章 Y掺杂铁电HfO_2薄膜的疲劳特性研究 | 第19-43页 |
| 2.1 研究背景及本章概述 | 第19页 |
| 2.2 HYO铁电薄膜的制备 | 第19-24页 |
| 2.2.1 激光脉冲沉积原理简介 | 第19-20页 |
| 2.2.2 实验具体步骤 | 第20-24页 |
| 2.3 HYO薄膜的结构与铁电特性 | 第24-28页 |
| 2.4 HYOMIM铁电电容器的疲劳特性 | 第28-35页 |
| 2.5 疲劳过程中器件的电学输运特征 | 第35-40页 |
| 2.6 加热后疲劳器件的恢复特性 | 第40-41页 |
| 2.7 本实验的一些讨论 | 第41-42页 |
| 2.8 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 HfO_2基铁电器件在γ射线辐照下的性能特征 | 第43-49页 |
| 3.1 研究背景简介 | 第43页 |
| 3.2 实验方法及所用到的仪器 | 第43-44页 |
| 3.3 辐照测试结果 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 HfO_2基铁电器件在质子辐照下的性能特征 | 第49-54页 |
| 4.1 研究背景简介 | 第49页 |
| 4.2 实验方法及所用到的仪器 | 第49-50页 |
| 4.3 辐照测试结果 | 第50-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 5.1 结论 | 第54页 |
| 5.2 改进与展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第64-65页 |