| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 引言 | 第12-25页 |
| 1.1 非易失性存储器发展历程 | 第12-18页 |
| 1.1.1 分立电荷存储器 | 第13-14页 |
| 1.1.2 铁电存储器 | 第14页 |
| 1.1.3 磁性存储器 | 第14-15页 |
| 1.1.4 相变存储器 | 第15页 |
| 1.1.5 阻变存储器 | 第15-18页 |
| 1.2 阻变存储器存储机理 | 第18-24页 |
| 1.2.1 空间电荷限制电流理论(SCLC) | 第19-20页 |
| 1.2.2 导电细丝机制(Filament) | 第20-21页 |
| 1.2.3 跳跃电导(Hopping)理论 | 第21-22页 |
| 1.2.4 肖特基发射效应 | 第22页 |
| 1.2.5 S-V理论 | 第22-24页 |
| 1.3 本文的研究内容与意义 | 第24-25页 |
| 第2章 基于BiVO_4薄膜的神经突触仿生特性研究 | 第25-41页 |
| 2.1 实验方法及步骤 | 第25-26页 |
| 2.1.1 制备薄膜的方法 | 第25-26页 |
| 2.1.2 实验过程 | 第26页 |
| 2.2 实验结果及讨论 | 第26-39页 |
| 2.2.1 BiVO_4薄膜的微观结构表征 | 第26-28页 |
| 2.2.2 Ti/BiVO_4/FTO阻变存储器的神经突触仿生特性 | 第28-35页 |
| 2.2.3 Ti/BiVO_4/FTO阻变存储器的电学特性 | 第35-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第3章 基于BiVO_4薄膜的量子电导特性研究 | 第41-50页 |
| 3.1 器件制备过程 | 第42页 |
| 3.1.1 TiN/BiVO_4/FTO结构阻变器件制备 | 第42页 |
| 3.1.2 Pd/BiVO_4/FTO结构阻变器件制备 | 第42页 |
| 3.2 实验结果及讨论 | 第42-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 基于BiOI薄膜的神经突触仿生特性研究 | 第50-57页 |
| 4.1 器件制备过程 | 第50页 |
| 4.2 实验结果及讨论 | 第50-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第67页 |
