| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 半导体存储器研究背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 半导体存储器分类 | 第13-14页 |
| 1.3 新兴非易失型存储器 | 第14-19页 |
| 1.3.1 相变存储器 | 第14-16页 |
| 1.3.2 铁电存储器 | 第16-17页 |
| 1.3.3 阻变存储器 | 第17-18页 |
| 1.3.4 磁性随机存储器 | 第18页 |
| 1.3.5 电荷俘获型存储器 | 第18-19页 |
| 1.4 电荷俘获型存储器研究现状 | 第19-20页 |
| 第二章 电荷俘获型存储器概述 | 第20-27页 |
| 2.1 电荷俘获型存储器结构 | 第20页 |
| 2.2 电荷俘获型存储器存储机制 | 第20-22页 |
| 2.3 实验设备及原理 | 第22-27页 |
| 2.3.1 器件制备 | 第22-23页 |
| 2.3.1.1 高真空多靶位磁控溅射系统 | 第22-23页 |
| 2.3.1.2 快速热退火系统 | 第23页 |
| 2.3.2 器件表征介绍 | 第23-26页 |
| 2.3.2.1 X射线衍射谱(XRD) | 第23-24页 |
| 2.3.2.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第24-25页 |
| 2.3.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| 2.3.2.4 拉曼光谱(Raman) | 第25-26页 |
| 2.3.3 器件性能测试 | 第26-27页 |
| 2.3.3.1 Keithely4200-SCS半导体测试系统 | 第26-27页 |
| 第三章 基于二维WS_2材料的电荷俘获型存储器 | 第27-36页 |
| 3.1 二维WS_2材料器件背景的介绍 | 第27页 |
| 3.2 WS_2器件制备过程 | 第27-28页 |
| 3.3 WS_2材料表征 | 第28-30页 |
| 3.4 WS_2器件电学特性测试 | 第30-33页 |
| 3.5 WS_2器件存储原理 | 第33-34页 |
| 3.6 总结和展望 | 第34-36页 |
| 第四章 二维GOQDs材料在CTM中的应用 | 第36-50页 |
| 4.1 GOQDs材料表征 | 第36-38页 |
| 4.2 GOQDs对Pd/SiO_2/ZHO/SiO_2/Si结构器件影响 | 第38-44页 |
| 4.2.1 GOQDs器件的制备过程 | 第38-40页 |
| 4.2.2 GOQDs器件电学特性及存储原理 | 第40-44页 |
| 4.2.2.1 GOQDs对器件电学特性调控 | 第40-43页 |
| 4.2.2.2 增厚ZHO层对GOQDs器件电学特性调控 | 第43-44页 |
| 4.3 GOQDs对Pd/ZHO/SiO_2/Si结构器件影响 | 第44-49页 |
| 4.3.1 器件的制备过程 | 第45-46页 |
| 4.3.2 器件电学特性测试 | 第46-48页 |
| 4.3.3 器件存储原理 | 第48-49页 |
| 4.4 总结和展望 | 第49-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第60-61页 |
