| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-33页 |
| 1.1 研究背景与选题意义 | 第14-15页 |
| 1.2 BFO改性及器件集成的研究现状 | 第15-31页 |
| 1.2.1 BFO漏电特性的改善 | 第15-21页 |
| 1.2.2 BFO磁学性能的增强 | 第21-23页 |
| 1.2.3 缓冲层对BFO薄膜性能的影响 | 第23-25页 |
| 1.2.4 BFO薄膜的器件集成 | 第25-31页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第33-41页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 实验材料与制备方法 | 第33-37页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第33-34页 |
| 2.2.2 材料制备方法 | 第34-37页 |
| 2.3 分析表征与计算模拟方法 | 第37-40页 |
| 2.3.1 分析表征方法 | 第37-39页 |
| 2.3.2 第一性原理计算方法 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 BFO/BSTO双层结构薄膜的制备与掺杂改性 | 第41-65页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 BFO/BSTO双层结构薄膜的制备与性能研究 | 第41-46页 |
| 3.2.1 BFO/BSTO薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 3.2.2 BSTO缓冲层对BFO薄膜结晶与铁电性能的影响 | 第42-45页 |
| 3.2.3 BFO/BSTO薄膜的表面成分分析 | 第45-46页 |
| 3.3 La与Mn元素掺杂对BFO漏电特性的影响 | 第46-64页 |
| 3.3.1 BLFMO基微纳米材料的制备 | 第46-47页 |
| 3.3.2 La与Mn掺杂BFO电子结构的计算 | 第47-49页 |
| 3.3.3 BLFMO/BSTO薄膜的漏电特性与多铁性能 | 第49-58页 |
| 3.3.4 BLFMO纳米纤维的漏电特性 | 第58-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 BLFMO/BSTCO薄膜的制备与器件集成 | 第65-83页 |
| 4.1 引言 | 第65页 |
| 4.2 BLFMO/BSTCO薄膜的制备与多铁性能 | 第65-77页 |
| 4.2.1 BLFMO/BSTCO薄膜的制备 | 第65页 |
| 4.2.2 Co掺杂BSTO电子结构的计算 | 第65-66页 |
| 4.2.3 BSTCO薄膜的磁学性能 | 第66-71页 |
| 4.2.4 BLFMO/BSTCO薄膜的多铁性能与表面形貌 | 第71-77页 |
| 4.3 BLFMO/BSTCO薄膜与半导体器件的集成 | 第77-81页 |
| 4.3.1 多层结构薄膜的制备 | 第77-79页 |
| 4.3.2 ZnO/BLFMO/BSTCO多层薄膜的铁电性能 | 第79页 |
| 4.3.3 SiC衬底上沉积BLFMO/BSTCO薄膜的铁电性能 | 第79-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 BLFMO/BSTO–NZFO薄膜的制备与生长机理 | 第83-111页 |
| 5.1 引言 | 第83页 |
| 5.2 BLFMO/BSTO–NZFO薄膜的制备与性能优化 | 第83-95页 |
| 5.2.1 BLFMO/BSTO–NZFO薄膜的制备 | 第83-84页 |
| 5.2.2 BSTO–NZFO复合薄膜的磁学与磁介电性能 | 第84-87页 |
| 5.2.3 BSTO–NZFO复合纳米纤维的磁学与磁介电性能 | 第87-92页 |
| 5.2.4 BLFMO/BSTO–NZFO薄膜的多铁性能 | 第92-95页 |
| 5.3 复合薄膜的生长机理分析 | 第95-109页 |
| 5.3.1 BLFMO–BSTO–NZFO复合纳米管的制备 | 第95-97页 |
| 5.3.2 BLFMO/BSTO–NZFO薄膜的生长机理 | 第97-99页 |
| 5.3.3 BLFMO–BSTO–NZFO复合纳米管的形貌特征与成核机理 | 第99-109页 |
| 5.4 本章小结 | 第109-111页 |
| 结论 | 第111-112页 |
| 本文创新点 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第126-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
| 个人简历 | 第130页 |
