| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 半导体光催化反应的基本原理 | 第10-12页 |
| 1.3 提高光催化活性的主要手段 | 第12-16页 |
| 1.3.1 形貌调控 | 第12-15页 |
| 1.3.2 异质结构 | 第15-16页 |
| 1.4 半导体光催化的主要应用 | 第16-18页 |
| 1.4.1 半导体光催化在环境问题方面的发展 | 第16-17页 |
| 1.4.2 半导体光催化在能源方面的发展 | 第17-18页 |
| 1.5 二硫化锡及石墨烯材料的研究进展 | 第18-23页 |
| 1.5.1 SnS_2半导体材料概述 | 第18-20页 |
| 1.5.2 石墨烯材料概述 | 第20-22页 |
| 1.5.3 二硫化锡/石墨烯材料研究进展 | 第22-23页 |
| 1.6 本课题研究的意义及主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验药品、仪器及实验方法 | 第25-33页 |
| 2.1 实验药品及设备 | 第25-27页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第25页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第25-27页 |
| 2.2 实验方法 | 第27-28页 |
| 2.2.1 片状SnS_2的制备 | 第27页 |
| 2.2.2 花状SnS_2的制备 | 第27页 |
| 2.2.3 片状/花状SnS_2膜的制备 | 第27页 |
| 2.2.4 氧化石墨的制备及SnS_2/石墨烯的制备 | 第27-28页 |
| 2.3 材料的表征方法 | 第28-30页 |
| 2.4 理论计算 | 第30页 |
| 2.5 材料的性能测试 | 第30-33页 |
| 2.5.1 材料的光催化性能测试 | 第30-32页 |
| 2.5.2 材料的光电性能测试 | 第32-33页 |
| 第三章 片状/花状二硫化锡的制备表征及性能测试 | 第33-46页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 片状/花状SnS_2半导体材料的制备与表征 | 第34-37页 |
| 3.3 光催化性能表征与分析 | 第37-40页 |
| 3.3.1 降解甲基橙性能 | 第37-40页 |
| 3.3.2 产氢性能 | 第40页 |
| 3.4 光电性能表征与分析 | 第40-43页 |
| 3.4.1 SnS_2膜的表征及分析 | 第40-42页 |
| 3.4.2 SnS_2膜的光电性能测 | 第42-43页 |
| 3.5 第一性原理计算 | 第43-44页 |
| 3.6 结论 | 第44-46页 |
| 第四章 二硫化锡/石墨烯的制备及其光催化性能的研究 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 SnS_2/graphene复合材料的表征与分析 | 第46-51页 |
| 4.3 光催化活性测试 | 第51-52页 |
| 4.4 不同石墨烯加入量对复合材料的影响 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小节 | 第54-56页 |
| 第五章 全文结论 | 第56-58页 |
| 5.1 全文结论 | 第56-57页 |
| 5.2 工作创新点 | 第57页 |
| 5.3 进一步的研究建议 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 发表论文情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
