| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 电子封装技术 | 第9-11页 |
| 1.1.1 电子封装器件的发展趋势 | 第9-10页 |
| 1.1.2 封装器件的可靠性问题 | 第10-11页 |
| 1.2 电迁移现象 | 第11-17页 |
| 1.2.1 铝线的电迁移现象 | 第11-12页 |
| 1.2.2 铜导线的电迁移 | 第12-14页 |
| 1.2.3 钎料的电迁移现象 | 第14-17页 |
| 1.3 电迁移的理论基础 | 第17-19页 |
| 1.4 选题的意义及研究内容 | 第19-21页 |
| 2 试验材料及方法 | 第21-29页 |
| 2.1 试验材料 | 第21页 |
| 2.2 线性对接结构的制备 | 第21-23页 |
| 2.2.1 焊接夹具的设计 | 第21页 |
| 2.2.2 焊接接头的制备 | 第21-23页 |
| 2.3 倒装芯片结构的制备 | 第23-26页 |
| 2.3.1 倒装结构设计 | 第23-24页 |
| 2.3.2 回流焊接过程 | 第24-26页 |
| 2.4 热时效 | 第26页 |
| 2.5 电迁移实验 | 第26-28页 |
| 2.5.1 线性对接结构 | 第26页 |
| 2.5.2 倒装芯片结构 | 第26-28页 |
| 2.6 金相试样的制备 | 第28页 |
| 2.7 分析测量方法 | 第28-29页 |
| 2.7.1 焊点显微组织观察 | 第28页 |
| 2.7.2 金属间化合物厚度的测量方法 | 第28-29页 |
| 3 有限元模拟 | 第29-33页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 电迁移数学模型 | 第30页 |
| 3.2.1 电流密度 | 第30页 |
| 3.2.2 热传导公式 | 第30页 |
| 3.3 电迁移的物理模型 | 第30-33页 |
| 4 电流对对接结构焊点界面金属间化合物的影响 | 第33-39页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 金属间化合物的形貌演变 | 第33-36页 |
| 4.3 金属间化合物的生长规律 | 第36-38页 |
| 4.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 5 电流对倒装结构焊点界面金属间化合物的影响 | 第39-57页 |
| 5.1 引言 | 第39页 |
| 5.2 时效过程中 Sn3Ag0.5Cu /Cu 焊点组织形貌 | 第39-42页 |
| 5.3 高电流密度下焊点的电流密度分布和温度分布 | 第42-45页 |
| 5.4 电迁移过程中 Sn3Ag0.5Cu /Cu 焊点组织形貌 | 第45-52页 |
| 5.5 电迁移寿命 | 第52-55页 |
| 5.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 6 电流对 Ni/ Sn3Ag0.5Cu /Cu 焊点界面金属间化合物的影响 | 第57-65页 |
| 6.1 引言 | 第57页 |
| 6.2 回流焊后 Ni/ Sn3Ag0.5Cu /Cu 焊点组织形貌 | 第57-59页 |
| 6.3 电迁移过程中 Ni/ Sn3Ag0.5Cu /Cu 焊点组织形貌 | 第59-63页 |
| 6.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 7 全文结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录 | 第75页 |
| 作者在攻读学位期间发表的论文目录： | 第75页 |
