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太赫兹波段碳纳米管宏观体辐射研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-16页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第10页
    1.2 碳纳米管概述第10-13页
        1.2.1 碳纳米管基本概念第10-11页
        1.2.2 碳纳米管的阻抗第11-12页
        1.2.3 纳米天线的应用第12-13页
    1.3 国内外研究现状第13-14页
        1.3.1 国外研究现状第13页
        1.3.2 国内研究现状第13-14页
    1.4 本文的主要研究内容及结构第14-16页
        1.4.1 本课题的主要研究内容第14页
        1.4.2 本文的结构安排第14-16页
第2章 Mie 散射的基本原理第16-26页
    2.1 引言第16页
    2.2 用圆柱形波函数表示平面波第16-18页
    2.3 TMZ极化的平面波垂直入射在导体圆柱上的散射问题第18-22页
    2.4 TEZ极化的平面波垂直入射在导体圆柱上的散射问题第22-25页
    2.5 本章小结第25-26页
第3章 碳纳米管散射特性研究第26-59页
    3.1 引言第26页
    3.2 TMZ极化垂直入射平面波激励 SWCNTS散射场的求解第26-31页
    3.3 TEZ极化垂直入射平面波激励 SWCNTS散射场的求解第31-35页
    3.4 TMZ极化斜入射平面波激励 SWCNTS散射场的求解第35-40页
    3.5 TEZ极化斜入射平面波激励 SWCNTS散射场的求解第40-42页
    3.6 金属性 MWCNTS 散射场的求解第42-46页
    3.7 单壁碳纳米管与电介质组合的混合体散射场的求解第46-58页
    3.8 本章小结第58-59页
第4章 纳米线以及纳米管天线特性的数值分析第59-77页
    4.1 引言第59页
    4.2 由两条纳米管组成的传输线的特性第59-63页
        4.2.1 单个纳米管的射频特性第59-60页
        4.2.2 两个一维无旋电线的电路模型第60-61页
        4.2.3 两个碳纳米管的电路模型第61-62页
        4.2.4 总结第62-63页
    4.3 纳米天线的电流分布第63-76页
        4.3.1 定性分析第63-64页
        4.3.2 任意电阻的定量预测第64-66页
        4.3.3 电流分布带来的辐射效应第66页
        4.3.4 无损耗条件下的辐射特性第66-72页
        4.3.5 任意损耗情况下的辐射特性第72-73页
        4.3.6 损耗类型分类第73页
        4.3.7 低损耗计算第73-76页
        4.3.8 其他第76页
    4.4 本章小结第76-77页
结论第77-79页
参考文献第79-83页
攻读硕士学位期间发表的论文第83-85页
致谢第85页

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