摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 碳纳米管材料概述 | 第12-18页 |
1.2.1 碳纳米管的结构 | 第12-14页 |
1.2.2 碳纳米管的性质 | 第14-16页 |
1.2.3 碳纳米管的掺杂 | 第16-18页 |
1.3 硼氮纳米材料概述 | 第18-20页 |
1.3.1 硼氮纳米管的结构 | 第18页 |
1.3.2 硼氮纳米管的性质 | 第18-19页 |
1.3.3 硼氮纳米管的掺杂 | 第19-20页 |
1.4 聚硅烷的结构、性质及掺杂 | 第20-23页 |
1.5 本文课题来源、研究内容及方法 | 第23-24页 |
1.5.1 课题来源 | 第23页 |
1.5.2 研究内容 | 第23页 |
1.5.3 研究方法 | 第23-24页 |
1.6 本论文特色与创新 | 第24-25页 |
第2章 理论研究基础 | 第25-39页 |
2.1 概述 | 第25-26页 |
2.2 密度泛函理论 | 第26-31页 |
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26-28页 |
2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第28-30页 |
2.2.3 局域密度近似与广义梯度近似 | 第30-31页 |
2.3 布里渊区和能带 | 第31-35页 |
2.3.1 布里渊区 | 第31-32页 |
2.3.2 能带 | 第32-35页 |
2.4 电子输运理论 | 第35-38页 |
2.4.1 平衡格林函数 | 第35-36页 |
2.4.2 非平衡格林函数 | 第36-37页 |
2.4.3 Landauer-Büttiker公式 | 第37-38页 |
2.5 本章小节 | 第38-39页 |
第3章 CNT和BNNT内嵌(VBz)_n电子输运性质研究 | 第39-60页 |
3.1 引言 | 第39-40页 |
3.2 理论模型与计算方法 | 第40-42页 |
3.2.1 理论模型 | 第40-42页 |
3.2.2 计算方法 | 第42页 |
3.3 周期性体系 | 第42-50页 |
3.3.1 几何结构及稳定性 | 第42-44页 |
3.3.2 构型结果分析 | 第44-50页 |
3.4 双探针体系电子输运性质 | 第50-59页 |
3.4.1 I-V曲线 | 第50-52页 |
3.4.2 D-1a与D-1b的ES、MPSH、TS结果分析 | 第52-56页 |
3.4.3 D-2a与D-2b的ES、MPSH、TS结果分析 | 第56-58页 |
3.4.4 EP结果分析 | 第58-59页 |
3.5 本章小结 | 第59-60页 |
第4章 聚硅烷缠绕CNT及BNNT复合结构电子输运性质研究 | 第60-85页 |
4.1 引言 | 第60-61页 |
4.2 理论模型与计算方法 | 第61-64页 |
4.2.1 理论模型 | 第61-63页 |
4.2.2 计算方法 | 第63-64页 |
4.3 周期性体系 | 第64页 |
4.3.1 几何结构及稳定性 | 第64页 |
4.4 构型CNT和PSi/CNT及其双探针体系计算结果分析 | 第64-73页 |
4.4.1 周期性CNT和PSi/CNT计算结果分析 | 第64-67页 |
4.4.2 双探针CNT和PSi/CNT结果分析 | 第67-73页 |
4.5 周期性 BNNT 和 PSi/BNNT 及其双探针体系计算结果分析 | 第73-83页 |
4.5.1 周期性BNNT和PSi/BNNT计算结果分析 | 第73-76页 |
4.5.2 双探针BNNT和PSi/BNNT体系结果分析 | 第76-83页 |
4.6 本章小结 | 第83-85页 |
结论 | 第85-87页 |
参考文献 | 第87-104页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第104-105页 |
致谢 | 第105页 |