基于标准CMOS工艺的太赫兹振荡器设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-10页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 国外研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.2 国内研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第13-16页 |
| 第2章 振荡器基础理论 | 第16-26页 |
| 2.1 振荡器基本工作原理 | 第16-17页 |
| 2.2 振荡器的类型 | 第17-20页 |
| 2.2.1 环形振荡器 | 第17-18页 |
| 2.2.2 LC振荡器 | 第18-20页 |
| 2.3 振荡器的性能参数 | 第20-24页 |
| 2.3.1 相位噪声 | 第20-22页 |
| 2.3.2 特征频率与最大截止频率 | 第22-24页 |
| 2.4 小结 | 第24-26页 |
| 第3章 太赫兹振荡器电路设计 | 第26-40页 |
| 3.1 几种可行的振荡器频率提升方法 | 第26-28页 |
| 3.2 太赫兹振荡器电路结构设计 | 第28-37页 |
| 3.2.1 负阻增强结构设计 | 第29-33页 |
| 3.2.2 整体电路结构设计 | 第33-37页 |
| 3.3 器件参数选择 | 第37-38页 |
| 3.4 小结 | 第38-40页 |
| 第4章 前仿真结果及对比分析 | 第40-48页 |
| 4.1 仿真结果 | 第40-46页 |
| 4.1.1 太赫兹振荡器仿真结果 | 第40-42页 |
| 4.1.2 传统交叉耦合振荡器仿真对比 | 第42-43页 |
| 4.1.3 不同有源器件的仿真对比 | 第43-44页 |
| 4.1.4 不同温度的仿真对比 | 第44-46页 |
| 4.2 仿真结果比较分析 | 第46-47页 |
| 4.3 小结 | 第47-48页 |
| 第5章 版图设计与联合后仿真 | 第48-70页 |
| 5.1 HFSS软件介绍 | 第48-49页 |
| 5.2 太赫兹振荡器中电感设计与仿真 | 第49-59页 |
| 5.2.1 片上电感的结构 | 第49-50页 |
| 5.2.2 主要性能参数 | 第50-51页 |
| 5.2.3 片上电感的非理想因素以及优化方法 | 第51-53页 |
| 5.2.4 片上电感的设计与仿真 | 第53-59页 |
| 5.3 整体版图设计 | 第59-63页 |
| 5.3.1 版图设计规则 | 第59-61页 |
| 5.3.2 太赫兹振荡器版图设计 | 第61-63页 |
| 5.4 整体电路后仿真结果 | 第63-66页 |
| 5.5 流片和测试方案 | 第66-68页 |
| 5.6 小结 | 第68-70页 |
| 第6章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
