| 摘要 | 第9-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 引言 | 第12-14页 |
| 1 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第14-22页 |
| 1.1.1 Ⅲ族氮化物基材料简介 | 第14-16页 |
| 1.1.2 Ⅲ族氮化物材料的能带结构 | 第16-17页 |
| 1.1.3 GaN的晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.1.4 Ⅲ族氮化物材料的极化效应 | 第18-20页 |
| 1.1.5 GaN材料的生长历程 | 第20-22页 |
| 1.2 ZnO材料的基本性质 | 第22-25页 |
| 1.2.1 ZnO材料简介 | 第22-23页 |
| 1.2.2 ZnO的晶体结构 | 第23页 |
| 1.2.3 ZnO的光学性质 | 第23-25页 |
| 1.3 异质结 | 第25-32页 |
| 1.3.1 异质结的发展 | 第25-28页 |
| 1.3.2 半导体异质结的基本特性 | 第28-29页 |
| 1.3.3 半导体异质结的应用 | 第29-32页 |
| 2 材料生长设备及表征手段 | 第32-54页 |
| 2.1 原子层沉积 | 第32-40页 |
| 2.1.1 原子层沉积技术简介 | 第32页 |
| 2.1.2 原子层沉积技术生长原理 | 第32-34页 |
| 2.1.3 原子层沉积特点 | 第34-39页 |
| 2.1.4 原子层沉积设备结构 | 第39-40页 |
| 2.2 分子束外延 | 第40-47页 |
| 2.2.1 分子束外延的发展及特点 | 第40-42页 |
| 2.2.2 分子束外延设备的结构 | 第42-44页 |
| 2.2.3 分子束外延生长原理 | 第44-45页 |
| 2.2.4 分子束外延原位监测技术 | 第45-47页 |
| 2.3 高分辨X射线衍射 | 第47-49页 |
| 2.4 透射电子显微镜 | 第49-53页 |
| 2.5 光致发光 | 第53-54页 |
| 3 m面ZnO/Si异质结制备及物性研究 | 第54-62页 |
| 3.1 引言 | 第54-55页 |
| 3.2 ALD生长Al_2O_3和ZnO薄膜 | 第55-57页 |
| 3.2.1 ALD生长Al_2O_3 | 第55-56页 |
| 3.2.2 ALD生长ZnO | 第56-57页 |
| 3.3 ZnO/Si异质结 | 第57-61页 |
| 3.3.1 XRD结果分析 | 第57-58页 |
| 3.3.2 HRTEM结果分析 | 第58-59页 |
| 3.3.3 PL结果分析 | 第59-60页 |
| 3.3.4 Ⅰ-Ⅴ结果分析 | 第60-61页 |
| 3.4 小结 | 第61-62页 |
| 4 非极性、半极性面ZnO/GaN异质结制备及物性研究 | 第62-86页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 ZnO/GaN异质结 | 第62-70页 |
| 4.2.1 XRD结果分析 | 第62-63页 |
| 4.2.2 HRTEM结果分析 | 第63-67页 |
| 4.2.3 极图结果分析 | 第67-68页 |
| 4.2.4 ZnO和GaN薄膜PL结果分析 | 第68页 |
| 4.2.5 异质结Ⅰ-Ⅴ结果分析 | 第68-69页 |
| 4.2.6 异质结EL结果分析 | 第69-70页 |
| 4.3 ZnO/Al_2O_3/GaN异质结 | 第70-77页 |
| 4.3.1 XRD结果分析 | 第70-71页 |
| 4.3.2 HRTEM结果分析 | 第71-72页 |
| 4.3.3 PL结果分析 | 第72-73页 |
| 4.3.4 Ⅰ-Ⅴ结果分析 | 第73-74页 |
| 4.3.5 Ⅰ-Ⅴ结果分析 | 第74-76页 |
| 4.3.6 能带图分析 | 第76-77页 |
| 4.4 ZnO/InGaN/GaN异质结 | 第77-85页 |
| 4.4.0 引言 | 第77页 |
| 4.4.1 ZnO/InGaN/GaN异质结HRTEM结果分析 | 第77-79页 |
| 4.4.2 ZnO/InGaN/GaN异质结PL结果分析 | 第79-80页 |
| 4.4.3 ZnO/InGaN/GaN异质结Ⅰ-Ⅴ结果分析 | 第80-81页 |
| 4.4.4 ZnO/InGaN/GaN异质结PL结果分析 | 第81-82页 |
| 4.4.5 ZnO/InGaN/GaN异质结EL结果分析 | 第82-83页 |
| 4.4.6 色度图结果分析 | 第83-84页 |
| 4.4.7 ZnO/InGaN/GaN异质结反向电压下的EL结果分析 | 第84-85页 |
| 4.5 小结 | 第85-86页 |
| 5 非极性面、半极性面ZnO和GaN的生长 | 第86-94页 |
| 5.1 引言 | 第86页 |
| 5.2 半极性面、非极性面GaN的生长 | 第86-88页 |
| 5.2.1 半极性面GaN | 第86-87页 |
| 5.2.2 非极性面GaN | 第87-88页 |
| 5.3 非极性面ZnO的生长 | 第88-93页 |
| 5.3.1 a面ZnO | 第88-89页 |
| 5.3.2 m面ZnO | 第89-93页 |
| 5.4 非极性面ZnO/GaN异质结 | 第93页 |
| 5.5 小结 | 第93-94页 |
| 6 总结与展望 | 第94-96页 |
| 6.1 主要研究成果 | 第94-95页 |
| 6.2 展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-111页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
