| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 阻变存储器的发展 | 第9-16页 |
| 1.2.1 阻变存储器的基础 | 第10-12页 |
| 1.2.2 存储器的阻变机制 | 第12-16页 |
| 1.3 碳基材料的研究进展及意义 | 第16页 |
| 1.4 氧化钆薄膜研究进展及意义 | 第16-17页 |
| 1.5 本论文研究内容 | 第17-18页 |
| 2 实验方法和表征手段 | 第18-23页 |
| 2.1 RRAM器件的制备 | 第18-20页 |
| 2.1.1 样品薄膜的制备 | 第18-20页 |
| 2.1.2 顶电极的制备 | 第20页 |
| 2.2 实验表征手段 | 第20-21页 |
| 2.2.1 结构表征方法 | 第20-21页 |
| 2.2.2 形貌表征 | 第21页 |
| 2.3 电性测量 | 第21-23页 |
| 2.3.1 阻变特性 | 第21-22页 |
| 2.3.2 R-T测量 | 第22-23页 |
| 3 非晶碳薄膜阻变特性的研究 | 第23-38页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 器件制备 | 第23-25页 |
| 3.2.1 碳薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 3.2.2 顶电极的制备 | 第24-25页 |
| 3.3 实验结果和分析 | 第25-36页 |
| 3.3.1 结构与形貌分析 | 第25-27页 |
| 3.3.2 蒸镀电极制备Ag/a-C/Pt器件阻变性能分析 | 第27-28页 |
| 3.3.3 磁控溅射电极制备Ag/a-C/Pt器件阻变性能分析 | 第28-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 4 氧化钆薄膜阻变的研究 | 第38-49页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 器件的制备 | 第38-39页 |
| 4.2.1 Gd_2O_3薄膜的制备 | 第38页 |
| 4.2.2 器件顶电极制备 | 第38-39页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第39-47页 |
| 4.3.1 结构分析 | 第39-40页 |
| 4.3.2 表面形貌 | 第40-42页 |
| 4.3.3 Ti/Gd_2O_3/Pt和Ag/Gd_2O_3/Pt器件阻变性能研究 | 第42-46页 |
| 4.3.4 阻变机理解释 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 5 结论 | 第49-51页 |
| 5.1 结论 | 第49页 |
| 5.2 创新点 | 第49-50页 |
| 5.3 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
