| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN材料特性 | 第11-14页 |
| 1.3 GaN功率器件国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本文架构和主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HFET器件物理与制备 | 第16-31页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结极化特性 | 第16-21页 |
| 2.1.1 自发极化 | 第16-18页 |
| 2.1.2 压电极化 | 第18-20页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN异质结极化特性 | 第20-21页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HFET器件特性 | 第21-25页 |
| 2.2.1 常规器件结构与工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 沟道二维电子气的形成 | 第22-23页 |
| 2.2.3 器件电学特性 | 第23-25页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HFET器件制备 | 第25-30页 |
| 2.3.1 表面清洗，光刻和金属剥离 | 第25-26页 |
| 2.3.2 欧姆接触 | 第26-28页 |
| 2.3.3 有源区隔离 | 第28页 |
| 2.3.4 器件表面钝化和栅介质淀积 | 第28-29页 |
| 2.3.5 栅极肖特基金属淀积 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 GaN增强型MIS-HFET阈值电压调制技术的仿真研究 | 第31-53页 |
| 3.1 GaN HFET增强型器件实现方法 | 第31-35页 |
| 3.2 AlGaN/GaN增强型MIS-HFET阈值电压调制技术的仿真研究 | 第35-52页 |
| 3.2.1 栅凹槽深度对增强型MIS-HFET阈值电压的调制 | 第37-43页 |
| 3.2.2 栅介质对增强型MIS-HFET阈值电压的调控 | 第43-48页 |
| 3.2.3 界面固定电荷对增强型MIS-HFET阈值电压的影响 | 第48-50页 |
| 3.2.4 栅金属功函数对增强型MIS-HFET阈值电压的调制 | 第50-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 Si基GaN增强型MIS-HFET阈值电压调制的实验研究 | 第53-76页 |
| 4.1 栅凹槽对增强型MIS-HFET阈值电压的调制 | 第53-66页 |
| 4.1.1 器件结构与制备 | 第54-57页 |
| 4.1.2 器件性能测试与分析 | 第57-66页 |
| 4.2 界面固定电荷对增强型MIS-HFET阈值电压的调控 | 第66-75页 |
| 4.2.1 器件结构与制备 | 第66-68页 |
| 4.2.2 器件性能测试与分析 | 第68-75页 |
| 4.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-86页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第86-87页 |
