| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-13页 |
| 1.1.1 红外探测器的研究进展 | 第8-11页 |
| 1.1.2 紫外探测器的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2 半导体光电探测器的结构 | 第13-18页 |
| 1.2.1 PIN光电二极管 | 第13-16页 |
| 1.2.2 雪崩光电二极管（APD） | 第16-17页 |
| 1.2.3 MSM光电二极管 | 第17页 |
| 1.2.4 光电晶体管 | 第17-18页 |
| 1.3 半导体仿真的物理模型分析 | 第18-20页 |
| 1.4 本文的主要工作及内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 基于光电二极管的探测器的研究 | 第22-33页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 基本原理和主要参数 | 第22-25页 |
| 2.2.1 基本原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 主要参数 | 第23-25页 |
| 2.3 In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN型红外探测器 | 第25-32页 |
| 2.3.1 模型和参数的选取 | 第26-27页 |
| 2.3.2 仿真及优化 | 第27-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 基于光电晶体管的探测器的研究 | 第33-49页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 基本原理和主要参数 | 第33-37页 |
| 3.2.1 基本原理 | 第33-34页 |
| 3.2.2 主要参数 | 第34-37页 |
| 3.3 In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP HPT型红外探测器 | 第37-42页 |
| 3.3.1 模型和参数的选取 | 第37-38页 |
| 3.3.2 仿真及优化 | 第38-42页 |
| 3.4 In_(0.03)Ga_(0.97)N/GaN HPT型紫外探测器 | 第42-48页 |
| 3.4.1 模型和参数的选取 | 第42-44页 |
| 3.4.2 仿真及优化 | 第44-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 结论及未来工作 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
