| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1.绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 VECSEL简介 | 第8-11页 |
| 1.2 光泵浦VECSEL的研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.3 光泵浦VECSEL的发展过程及现状 | 第12-14页 |
| 1.4 论文的主要内容 | 第14-15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-16页 |
| 2 VECSEL增益芯片的结构设计 | 第16-36页 |
| 2.1 VECSEL的工作机理 | 第16-17页 |
| 2.2 DBR的设计 | 第17-26页 |
| 2.2.1 分布布拉格反射镜（DBR） | 第17页 |
| 2.2.2 DBR反射率和带宽理论 | 第17-22页 |
| 2.2.3 DBR反射率模拟分析 | 第22-25页 |
| 2.2.4 DBR的XRD模拟分析 | 第25-26页 |
| 2.3 MQWs的设计 | 第26-33页 |
| 2.3.1 设计的理论依据 | 第26-29页 |
| 2.3.2 应变补偿量子阱结构的设计 | 第29-33页 |
| 2.4 窗口层和帽层的设计 | 第33页 |
| 2.5 外延片结构参数 | 第33-35页 |
| 2.6 小结 | 第35-36页 |
| 3. VECSEL增益芯片的制备及测试 | 第36-48页 |
| 3.1 MOVPE生长技术 | 第36-38页 |
| 3.2 材料的制备与表征 | 第38-40页 |
| 3.2.1 材料的制备 | 第38-39页 |
| 3.2.2 材料的表征 | 第39-40页 |
| 3.3 DBR材料研究 | 第40-41页 |
| 3.3.1 DBR材料的SEM测试 | 第40页 |
| 3.3.2 DBR材料的XRD测试 | 第40-41页 |
| 3.3.3 DBR材料的反射谱 | 第41页 |
| 3.4 有源区材料研究 | 第41-43页 |
| 3.4.1 有源区样品 1、2、3 的XRD测试 | 第41-42页 |
| 3.4.2 有源区样品 1、2、3 的PL测试 | 第42-43页 |
| 3.5 VECSEL材料的研究 | 第43-46页 |
| 3.5.1 VECSEL增益材料的SEM测试 | 第43-44页 |
| 3.5.2 VECSEL增益材料的XRD测试 | 第44页 |
| 3.5.3 VECSEL增益材料的反射谱 | 第44-45页 |
| 3.5.4 VECSEL增益材料的PL测试 | 第45-46页 |
| 3.6 反序VECSEL的初步研究 | 第46-47页 |
| 3.7 小结 | 第47-48页 |
| 41000 nm光泵浦垂直外腔面发射激光（光泵浦VECSEL） | 第48-52页 |
| 4.1 光泵浦VECSEL的结构及工作原理 | 第48页 |
| 4.2 光泵浦VECSEL光路设计 | 第48-49页 |
| 4.3 光泵浦VECSEL的实验研究 | 第49-51页 |
| 4.4 光泵浦反序VECSEL实验研究 | 第51页 |
| 4.5 小结 | 第51-52页 |
| 5 结论 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 在校期间发表论文 | 第62页 |