摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 金刚石的结构、性质与应用 | 第11-15页 |
1.2.1 金刚石的结构 | 第11-12页 |
1.2.2 金刚石的性质 | 第12-13页 |
1.2.3 金刚石的应用 | 第13-15页 |
1.3 纳米金刚石薄膜 | 第15-21页 |
1.3.1 纳米金刚石薄膜概述 | 第15-16页 |
1.3.2 纳米金刚石薄膜的性质 | 第16页 |
1.3.3 纳米金刚石薄膜的制备 | 第16-19页 |
1.3.3.1 纳米金刚石薄膜常用的制备装置 | 第17-18页 |
1.3.3.2 纳米金刚石薄膜的制备技术 | 第18-19页 |
1.3.4 纳米金刚石薄膜的性能及应用 | 第19-21页 |
1.3.4.1 力学性能及应用 | 第19-20页 |
1.3.4.2 电学性能及应用 | 第20-21页 |
1.3.4.3 光学性能及应用 | 第21页 |
1.4 金刚石的掺杂 | 第21-23页 |
1.4.1 掺杂原理与掺杂水平 | 第21-22页 |
1.4.2 金刚石掺杂的研究进展 | 第22-23页 |
1.5 问题的提出与本文的研究内容 | 第23-25页 |
第二章 退火及氧离子注入剂量对UNCD薄膜电学性能和微结构的影响 | 第25-45页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 实验 | 第25-28页 |
2.2.1 衬底预处理 | 第25-26页 |
2.2.2 本征超纳米金刚石薄膜的制备 | 第26页 |
2.2.3 离子注入及退火方案 | 第26-27页 |
2.2.4 表征手段 | 第27-28页 |
2.3 退火对本征及氧离子注入超纳米金刚石薄膜电学性能及微结构的影响 | 第28-39页 |
2.3.1 Hall效应测试 | 第28-29页 |
2.3.2 XPS谱测试 | 第29-34页 |
2.3.2.1 XPS全谱 | 第30-31页 |
2.3.2.2 XPS谱图之C1s峰分峰谱图 | 第31-33页 |
2.3.2.3 XPS谱图之表面键的含量 | 第33-34页 |
2.3.3 高分辨透射电子显微镜(HRTEM)测试 | 第34-35页 |
2.3.4 傅里叶红外光谱测试(FTIR) | 第35页 |
2.3.5 可见光拉曼光谱测试(Raman) | 第35-38页 |
2.3.6 紫外拉曼光谱测试(uv-Raman) | 第38-39页 |
2.4 不同注入剂量对UNCD薄膜电学性能及微结构的影响 | 第39-43页 |
2.4.1 不同氧离子注入剂量对UNCD薄膜的电学性能影响 | 第39-40页 |
2.4.2 不同剂量氧离子注入UNCD薄膜的XPS谱图分析 | 第40-42页 |
2.4.3 不同剂量氧离子注入UNCD薄膜的傅里叶红外光谱测试(FTIR) | 第42-43页 |
2.5 本章小结 | 第43-45页 |
第三章 不同退火温度对低剂量碳离子注入UNCD薄膜微结构和电学性能的影响 | 第45-56页 |
3.1 引言 | 第45页 |
3.2 实验 | 第45-46页 |
3.3 不同退火温度下的低剂量碳离子注入UNCD薄膜的电学性能测试 | 第46-47页 |
3.4 不同退火温度下的低剂量碳离子注入UNCD薄膜的微结构测试 | 第47-55页 |
3.4.1 XPS谱图 | 第47-50页 |
3.4.1.1 XPS全谱 | 第47-48页 |
3.4.1.2 XPS谱图之C1s峰分峰谱图 | 第48-49页 |
3.4.1.3 XPS谱图之表面键的含量 | 第49-50页 |
3.4.2 高分辨透射电子显微镜(HRTEM)测试 | 第50-51页 |
3.4.3 傅里叶红外光谱测试(FTIR) | 第51-55页 |
3.5 本章小结 | 第55-56页 |
第四章 浸没式氧离子注入UNCD薄膜电学性能及微结构研究 | 第56-62页 |
4.1 引言 | 第56页 |
4.2 实验 | 第56-57页 |
4.3 电学性能测试 | 第57页 |
4.4 XPS谱图 | 第57-60页 |
4.4.1 XPS全谱 | 第57-59页 |
4.4.2 XPS谱图之C1s峰分峰谱图 | 第59页 |
4.4.3 XPS谱图之表面键的含量 | 第59-60页 |
4.5 可见光拉曼光谱测试 | 第60-61页 |
4.6 本章小结 | 第61-62页 |
第五章 结论 | 第62-64页 |
本文创新点 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-73页 |
致谢 | 第73-74页 |
攻读学位期间发表的论文及成果 | 第74页 |