| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 纳米材料简介 | 第8页 |
| 1.2 纳米材料的性质 | 第8-9页 |
| 1.3 GaN材料的性质及应用 | 第9-13页 |
| 1.3.1 GaN材料的性质 | 第9-11页 |
| 1.3.2 GaN材料的应用 | 第11-13页 |
| 2 纳米线的制备方法及表征技术 | 第13-18页 |
| 2.1 纳米线的制备方法 | 第13-14页 |
| 2.1.1 气相法 | 第13页 |
| 2.1.2 氧化物辅助生长法 | 第13-14页 |
| 2.1.3 模板法 | 第14页 |
| 2.2 金属有机化学气相沉积 | 第14-16页 |
| 2.3 纳米线的表征方法 | 第16-18页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第16页 |
| 2.3.2 X射线衍射技术 | 第16-17页 |
| 2.3.3 能量弥散X射线谱 | 第17-18页 |
| 3 基于CVD系统生长GaN纳米线 | 第18-45页 |
| 3.1 CVD系统的简介 | 第18-20页 |
| 3.2 衬底的选择与处理 | 第20-21页 |
| 3.2.1 衬底的选择 | 第20-21页 |
| 3.2.2 衬底的处理 | 第21页 |
| 3.3 CVD法生长GaN纳米线的工艺流程 | 第21-22页 |
| 3.4 不同镓源生长Au催化的GaN纳米线 | 第22-29页 |
| 3.4.1 衬底退火处理及分析 | 第22-24页 |
| 3.4.2 金属Ga为镓源生长GaN纳米线 | 第24-26页 |
| 3.4.3 氧化镓为镓源生长GaN纳米线 | 第26-27页 |
| 3.4.4 金属Ga和氧化镓混合物为镓源生长GaN纳米线 | 第27-29页 |
| 3.5 Ni催化剂生长GaN纳米线 | 第29-41页 |
| 3.5.1 Ni纳米颗粒的制备及分析 | 第29-31页 |
| 3.5.2 不同镓源Ni(NO_3)_2催化生长GaN纳米线 | 第31-35页 |
| 3.5.3 不同镓源Ni催化生长GaN纳米线 | 第35-41页 |
| 3.6 Au/Ni催化剂生长GaN纳米线 | 第41-45页 |
| 3.6.1 衬底退火处理及分析 | 第42-43页 |
| 3.6.2 Au/Ni催化生长GaN纳米线的SEM分析 | 第43-45页 |
| 4 基于自组装MOCVD系统生长GaN纳米线 | 第45-59页 |
| 4.1 自组装MOCVD系统的简介 | 第45-50页 |
| 4.2 MOCVD系统生长GaN纳米线的工艺流程 | 第50-52页 |
| 4.3 反应室结构的设计与分析 | 第52-54页 |
| 4.4 MOCVD系统生长GaN纳米线的分析 | 第54-59页 |
| 4.4.1 温度对制备GaN纳米线的影响 | 第55-56页 |
| 4.4.2 NH_3流量对制备GaN纳米线的影响 | 第56页 |
| 4.4.3 压强对制备GaN纳米线的影响 | 第56-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
