| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 薄膜光学基础理论与机制 | 第8-14页 |
| 1.2.1 薄膜干涉理论 | 第9-11页 |
| 1.2.2 法布里-珀罗谐振腔 | 第11-12页 |
| 1.2.3 非对称的法布里-珀罗谐振腔 | 第12-13页 |
| 1.2.4 金属光学基础理论 | 第13-14页 |
| 1.3 半导体超薄膜的制备与表征手段 | 第14-23页 |
| 1.3.1 半导体超薄膜制备方法 | 第14-17页 |
| 1.3.2 半导体超薄膜的表征手段 | 第17-23页 |
| 1.4 半导体超薄膜的应用 | 第23-25页 |
| 1.4.1 太阳能光伏 | 第23-24页 |
| 1.4.2 表面光催化 | 第24-25页 |
| 1.5 课题研究意义及主要创新点 | 第25-27页 |
| 第二章 半导体超薄膜光吸收特性原理及机制分析 | 第27-34页 |
| 2.1 超吸收薄膜结构中的光学常数 | 第27-28页 |
| 2.2 采用菲涅耳方程理论分析双层和三层薄膜系统 | 第28-30页 |
| 2.2.1 双层薄膜系统 | 第28页 |
| 2.2.2 三层薄膜系统 | 第28-30页 |
| 2.3 半导体超薄膜/金属双层薄膜结构 | 第30-31页 |
| 2.4 半导体超薄膜/无损空间介质层/金属三层薄膜结构 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 半导体超薄膜的制备和表征 | 第34-39页 |
| 3.1 实验及测试设备 | 第34-35页 |
| 3.1.1 磁控溅射设备 | 第34页 |
| 3.1.2 电子束蒸发设备 | 第34页 |
| 3.1.3 原子力显微镜 | 第34页 |
| 3.1.4 扫描电子显微镜 | 第34页 |
| 3.1.5 椭圆偏振仪 | 第34-35页 |
| 3.1.6 n&k | 第35页 |
| 3.2 超薄Ge膜系统的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 超薄Ge膜的表征 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 半导体超薄膜光吸收特性的分析与讨论 | 第39-48页 |
| 4.1 Ge/Au和Ge/SiO_2/Au薄膜 | 第39-41页 |
| 4.2 Ge/Al和Ge/Al_2O_3/Al薄膜 | 第41-44页 |
| 4.3 量子和无定形对超薄膜光学常数的影响 | 第44-45页 |
| 4.4 较厚Ge膜的谐振腔增强 | 第45-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |