摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第12-25页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 Bi_2S_3纳米材料简介 | 第13-18页 |
1.2.1 硫化秘的结构与性能 | 第13-14页 |
1.2.2 硫化秘的制备方法 | 第14-18页 |
1.3 Bi_2S_3纳米材料改性 | 第18页 |
1.3.1 复合半导体法 | 第18页 |
1.3.2 离子掺杂 | 第18页 |
1.4 Bi_2S_3纳米薄膜简介 | 第18-20页 |
1.4.1 Bi_2S_3纳米薄膜的结构 | 第18-19页 |
1.4.2 Bi_2S_3纳米薄膜的制备 | 第19-20页 |
1.5 Bi_2S_3纳米材料的性质和应用 | 第20页 |
1.5.1 催化作用 | 第20页 |
1.5.2 太阳能电池 | 第20页 |
1.5.3 光伏材料 | 第20页 |
1.5.4 近红外荧光材料 | 第20页 |
1.6 光催化反应简介 | 第20-23页 |
1.6.1 光催化反应过程基本原理 | 第20-22页 |
1.6.2 光催化技术的应用 | 第22页 |
1.6.3 硫化物光催化剂的研究现状 | 第22-23页 |
1.7 本论文的研究意义和研究思路 | 第23-25页 |
1.7.1 课题研究的意义 | 第23页 |
1.7.2 课题研究思路 | 第23-25页 |
第2章 实验试剂及设备 | 第25-28页 |
2.1 试剂与仪器 | 第25-26页 |
2.1.1 实验试剂 | 第25页 |
2.1.2 实验仪器 | 第25-26页 |
2.2 测试与表征方法 | 第26-28页 |
2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)与透射电镜(TEM) | 第26-27页 |
2.2.2 X-射线衍射分析 | 第27页 |
2.2.3 紫外-光谱(UV-vis) | 第27-28页 |
第3章 硫化铋纳米棒制备与性能分析 | 第28-44页 |
3.1 引言 | 第28-29页 |
3.2 试剂 | 第29页 |
3.3 制备方法 | 第29页 |
3.4 表征 | 第29-30页 |
3.5 结果与讨论 | 第30-42页 |
3.5.1 反应物的浓度比对Bi_2S_3晶型的影响 | 第30-32页 |
3.5.2 不同溶剂对纳米Bi_2S_3晶型的影响 | 第32页 |
3.5.3 表面活性剂对Bi_2S_3晶型的影响 | 第32-33页 |
3.5.4 不同温度对Bi_2S_3晶型的影响 | 第33-34页 |
3.5.5 不同反应时间对Bi_2S_3形貌的影响 | 第34-35页 |
3.5.6 紫外-可见漫反射光谱(UV-vis)分析 | 第35-37页 |
3.5.7 光催化性能测试 | 第37-42页 |
3.6 小结 | 第42-44页 |
第4章 Bi_2O_3/Bi_2S_3薄膜的制备及性能分析 | 第44-55页 |
4.1 引言 | 第44页 |
4.2 试剂 | 第44-45页 |
4.3 制备方法 | 第45页 |
4.4 表征 | 第45-46页 |
4.5 结果与讨论 | 第46-54页 |
4.5.1 Bi_2O_3/Bi_2S_3薄膜的形貌及结构分析 | 第46-47页 |
4.5.2 Bi_2O_3/Bi_2S_3的晶相组成分析 | 第47-48页 |
4.5.3 Bi_2O_3/Bi_2S_3的UV-Vis分析 | 第48页 |
4.5.4 Bi_2O_3/Bi_2S_3薄膜光催化性能测试 | 第48-54页 |
4.6 小结 | 第54-55页 |
第5章 ZnO/Bi_2S_3半导体薄膜的制备及光催化性能分析 | 第55-65页 |
5.1 引言 | 第55-56页 |
5.2 试剂和设备 | 第56页 |
5.3 制备方法 | 第56-57页 |
5.3.1 ZnO纳米颗粒的制备 | 第56页 |
5.3.2 ZnO/Bi_2S_3半导体薄膜的制备 | 第56-57页 |
5.4 表征 | 第57页 |
5.5 结果与讨论 | 第57-63页 |
5.5.1 催化剂晶相结构分析 | 第57-59页 |
5.5.2 Bi_2S_3/ZnO薄膜形貌分析 | 第59-60页 |
5.5.3 Bi_2S_3/ZnO薄膜光催化降解罗丹明B | 第60-63页 |
5.6 小结 | 第63-65页 |
结论 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
详细摘要 | 第75-79页 |