致谢 | 第6-7页 |
摘要 | 第7-9页 |
Abstract | 第9-11页 |
1 绪论 | 第14-42页 |
1.1 薄膜的制备与表征 | 第15-20页 |
1.1.1 薄膜制备的一般方法 | 第15-17页 |
1.1.2 薄膜表征的一般方法 | 第17-20页 |
1.2 薄膜的理论和实验研究进展 | 第20-28页 |
1.2.1 薄膜生长机理的基本理论 | 第20-21页 |
1.2.2 以固相材料为基底的薄膜物理研究进展 | 第21-23页 |
1.2.3 以液相材料为基底的薄膜物理研究进展 | 第23-28页 |
1.3 薄膜生长的计算机模拟 | 第28-40页 |
1.3.1 分形与分形维数 | 第29-32页 |
1.3.2 薄膜生长初期的计算机模拟:远离平衡态的生长 | 第32-37页 |
1.3.3 液相基底表面薄膜生长的计算机模拟 | 第37-40页 |
1.4 本文研究的内容及意义 | 第40-42页 |
2 液相基底表面金属团簇的凝聚机理研究:从二维凝聚向三维凝聚的转变 | 第42-54页 |
2.1 研究背景 | 第42-43页 |
2.2 模型描述 | 第43-45页 |
2.3 结果与分析 | 第45-52页 |
2.3.1 模拟结果的形貌分析 | 第45-46页 |
2.3.2 团簇覆盖率随不同参数的演化 | 第46-48页 |
2.3.3 团簇平均高度的演化规律 | 第48-51页 |
2.3.4 不同上迁概率情况下团簇覆盖率随凝聚时间的演化规律 | 第51-52页 |
2.4 本章小结 | 第52-54页 |
3 液相基底上凝聚体的塌缩与生长 | 第54-64页 |
3.1 研究背景 | 第54-55页 |
3.2 模型描述 | 第55-56页 |
3.3 结果与分析 | 第56-63页 |
3.3.1 模拟结果的形貌分析 | 第56-57页 |
3.3.2 团簇塌缩导致的覆盖率和密度变化 | 第57-61页 |
3.3.3 团簇塌缩与边缘上跳导致的覆盖率演化 | 第61-63页 |
3.4 本章小结 | 第63-64页 |
4 液相基底上一维晶体的生长机理 | 第64-72页 |
4.1 研究背景 | 第64-65页 |
4.2 模型描述 | 第65-66页 |
4.3 结果与分析 | 第66-71页 |
4.3.1 模拟结果的形貌分析 | 第66-67页 |
4.3.2 一维晶体宽度与长度的分布规律 | 第67-68页 |
4.3.3 一维晶体宽度与长度分布随成核数目的演化 | 第68-70页 |
4.3.4 一维晶体形成机理的分析与实验改进方向的讨论 | 第70-71页 |
4.4 本章小节 | 第71-72页 |
5 总结与展望 | 第72-74页 |
5.1 本文的总结 | 第72-73页 |
5.2 未来的展望 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-79页 |
附录 | 第79-81页 |
附录A 作者博士期间发表的论文 | 第79-80页 |
附录B 博士期间学术会议论文 | 第80-81页 |
附录C 博士期间参与科研项目 | 第81页 |