| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-22页 |
| ·新一代存储器的研究背景 | 第10-16页 |
| ·相变存储器 | 第11-12页 |
| ·磁存储器 | 第12页 |
| ·铁电存储器 | 第12-13页 |
| ·阻变存储器 | 第13-15页 |
| ·电荷俘获存储器 | 第15-16页 |
| ·阻变存储器的阻变机制 | 第16-20页 |
| ·空间电荷限制电流理论 | 第16-17页 |
| ·导电细丝理论 | 第17-18页 |
| ·肖特基发射效应 | 第18页 |
| ·Pool-Frenkel（P-F）机制 | 第18-19页 |
| ·S-V理论 | 第19-20页 |
| ·电荷俘获型存储器的存储机制 | 第20-22页 |
| ·F-N隧穿机制 | 第20页 |
| ·直接隧穿 | 第20-22页 |
| 第2章 晶界和氧空位在钛酸锶钡（Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3）薄膜阻变特性中的调控作用 | 第22-31页 |
| ·实验方法 | 第23-25页 |
| ·制备薄膜的方法 | 第23-24页 |
| ·实验过程 | 第24-25页 |
| ·实验结果及讨论 | 第25-30页 |
| ·两种BST薄膜的结构特征 | 第25页 |
| ·两种BST薄膜的形貌特征 | 第25-26页 |
| ·两种薄膜的微观结构特征 | 第26-27页 |
| ·FTIR确定两种薄膜内氧空位的浓度高低 | 第27-28页 |
| ·两种薄膜的阻变特性研究 | 第28-29页 |
| ·两种薄膜内的主要导电电荷 | 第29-30页 |
| ·实验结论 | 第30-31页 |
| 第3章 基于Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3（BST）薄膜的双电荷俘获存储器件 | 第31-39页 |
| ·实验制备过程 | 第31-32页 |
| ·实验结果与讨论 | 第32-38页 |
| ·Pt/BST/ZHO/Pt器件的微观尺寸和电学特性 | 第32-33页 |
| ·Pt/BST/ZHO/Pt器件的c-t特性 | 第33-34页 |
| ·BST层厚度对器件特性的影响 | 第34-35页 |
| ·BST/ZHO的电荷输运机制 | 第35-36页 |
| ·Au/BST/ZHO/Pt的保持特性 | 第36-38页 |
| ·Au/BST/ZHO/PT的漏电流特性及机制 | 第38页 |
| ·实验结论 | 第38-39页 |
| 第4章 Zr_(0.5)Hf_(0.5)O_2/SiO_2界面层中的陷阱电荷在电荷俘获存储器中的应用 | 第39-46页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·实验结果及分析 | 第40-45页 |
| ·探究温度对Pt/ZHO/SiO_2/Si结构的物理微观特性影响图 | 第40-41页 |
| ·不同温度制备的Pt/ZHO/SiO_2/Si结构的C-V特性 | 第41-42页 |
| ·探究ZHO薄膜内的缺陷状态 | 第42-43页 |
| ·探究ZHO/SiO_2界面处的元素化合价态 | 第43-44页 |
| ·不同温度制备的Pt/ZHO/SiO_2/Si结构的保持特性 | 第44-45页 |
| ·实验结论 | 第45-46页 |
| 第5章 结论与展望 | 第46-48页 |
| ·主要结论 | 第46-47页 |
| ·今后的展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第58页 |
