| 内容提要 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| ·自旋电子学(Spintronics) | 第11页 |
| ·稀磁半导体 | 第11-12页 |
| ·选题思路 | 第12-13页 |
| 第二章 基本理论 | 第13-25页 |
| ·第一性原理计算 | 第13-14页 |
| ·密度泛函理论 | 第14-20页 |
| ·Hohenberg—Kohn定理 | 第14-16页 |
| ·Kohn—Sham方程 | 第16-18页 |
| ·局域密度近似(Local Spin Density Approximation,LDA) | 第18-19页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA) | 第19-20页 |
| ·常用的能带计算方法 | 第20-23页 |
| ·正交平面波(OPW)方法和缀加平面波(APW)方法 | 第20-21页 |
| ·缀加平面波(APW)方法 | 第21-22页 |
| ·赝势方法 | 第22-23页 |
| ·自洽计算 | 第23-24页 |
| ·VASP程序包简介 | 第24-25页 |
| 第三章 C掺杂AlN体系铁磁性的研究 | 第25-46页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·模型构建和计算方法 | 第25-26页 |
| ·模型构建 | 第25-26页 |
| ·计算方法 | 第26页 |
| ·计算结果与分析 | 第26-28页 |
| ·一个C原子掺杂AlN的GGA和GGA+U的计算结果 | 第28-34页 |
| ·C原子掺杂AlN的GGA计算结果与分析 | 第28-31页 |
| ·C原子掺杂AlN的GGA+U计算结果与分析 | 第31-34页 |
| ·磁耦合 | 第34-46页 |
| ·两个C原子掺杂AlN的GGA计算结果与分析 | 第34-41页 |
| ·两个C原子掺杂AlN的GGA+U计算结果与分析 | 第41-46页 |
| 第四章 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
