| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·半导体材料的概况和研究现状 | 第10-14页 |
| ·材料的分类 | 第10-11页 |
| ·半导体的发展概况 | 第11-12页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的性质和应用 | 第12-14页 |
| ·高压物理学及高压装置简介 | 第14-16页 |
| ·高压电学的研究意义 | 第16-17页 |
| ·本论文的选题目的和意义 | 第17页 |
| ·本论文各部分主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 DAC 上电路的集成和测量方法 | 第19-25页 |
| ·微电路的形成过程 | 第19-23页 |
| ·采用的测量方法 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 InSb 的高压电学性质和相变研究 | 第25-36页 |
| ·InSb 的结构和性质 | 第25-26页 |
| ·InSb 的应用 | 第26-27页 |
| ·InSb 的高压研究背景 | 第27-28页 |
| ·InSb 的高压直流电学性质测量 | 第28-34页 |
| ·高压下InSb 的电阻率测量 | 第28-29页 |
| ·实验过程中与InSb 接触的四个电极的测量结果 | 第29-32页 |
| ·高压下 InSb 电阻率测量结果 | 第32-34页 |
| ·InSb 压致结构相变的高压同步辐射研究 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 InSb 的能带及光电导特性 | 第36-54页 |
| ·InSb 的能带特点 | 第36-37页 |
| ·窄禁带半导体的应用 | 第37-38页 |
| ·有关InSb 能带的简单计算 | 第38-42页 |
| ·Materials studio 软件简介 | 第38-39页 |
| ·CASTEP 模块 | 第39页 |
| ·InSb 在加压时产生的新相的能带结构和晶体结构 | 第39-42页 |
| ·InSb 的光电导效应 | 第42-53页 |
| ·光照对载流子的影响 | 第42-43页 |
| ·非平衡载流子的寿命 | 第43-45页 |
| ·半导体的光吸收 | 第45-47页 |
| ·InSb 的光电导测量 | 第47-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60页 |