| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-15页 |
| ·LD连续抽运固体激光器发展概述 | 第7页 |
| ·1.34μm激光器的研究意义 | 第7-8页 |
| ·高重频1.34μm激光器的研究进展 | 第8-12页 |
| ·1.34μm高重频激光技术 | 第12-13页 |
| ·全文内容概述 | 第13-15页 |
| 第二章 被动调Q晶体对比分析及调Q器件的设计 | 第15-27页 |
| ·V:YAG、Cr:YAG、Co:LMA晶体的光谱特性与能级结构 | 第15-19页 |
| ·V:YAG参数的确定 | 第19-25页 |
| ·被动调Q水冷盒的设计 | 第25-27页 |
| 第三章 LD侧面连续抽运1.34μm激光被动调Q理论研究 | 第27-35页 |
| ·LD侧面连续抽运1.34μm激光的调Q原理 | 第27-29页 |
| ·连续抽运的V:YAG晶体被动调Q速率方程 | 第29-31页 |
| ·连续抽运被动调Q谐振腔分析 | 第31-35页 |
| 第四章 LD侧面连续抽运1.34μm激光被动调Q实验研究 | 第35-48页 |
| ·实验装置 | 第35-36页 |
| ·连续1.34μm基频光实验研究 | 第36-39页 |
| ·V:YAG晶体初始透过率对激光输出参数的影响 | 第39-44页 |
| ·V:YAG晶体腔内位置对激光输出参数的影响 | 第44-48页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
