基于氧化锆的980nm垂直腔面发射半导体激光器增透膜的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·光学薄膜的发展历程以及应用 | 第8-9页 |
| ·薄膜的概述 | 第8页 |
| ·光学薄膜的发展以及应用 | 第8-9页 |
| ·薄膜技术在高功率半导体激光器腔面的应用 | 第9-12页 |
| ·垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的发展 | 第9-11页 |
| ·高功率半导体激光器腔面镀膜的发展 | 第11-12页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第12页 |
| 小结 | 第12-13页 |
| 第二章 薄膜光学的理论 | 第13-24页 |
| ·薄膜光学的电磁理论基础 | 第13-17页 |
| ·麦克斯韦方程和平面电磁波的波动方程 | 第13-15页 |
| ·麦克斯韦方程的边界条件 | 第15-17页 |
| ·光学薄膜的光学特性计算方法 | 第17-23页 |
| ·特征矩阵 | 第17-20页 |
| ·单层介质膜的主要光学特性 | 第20-22页 |
| ·膜系的透射率和吸收率 | 第22-23页 |
| 小结 | 第23-24页 |
| 第三章 980nmVCSEL增透膜的设计 | 第24-38页 |
| ·VCSEL的结构的介绍 | 第24-27页 |
| ·DBR的介绍 | 第24-26页 |
| ·有源区的介绍 | 第26-27页 |
| ·增透膜对出光功率的影响 | 第27-28页 |
| ·选择材料的依据以及对所选材料的介绍 | 第28-30页 |
| ·膜系的设计 | 第30-31页 |
| ·ZrO_2薄膜残余应力有限元分析 | 第31-37页 |
| ·有限元方法的介绍 | 第32页 |
| ·薄膜有限元模型的建立以及结果的分析 | 第32-37页 |
| 小结 | 第37-38页 |
| 第四章 薄膜的镀制 | 第38-48页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第38页 |
| ·镀膜方法以及设备的介绍 | 第38-43页 |
| ·影响薄膜性能的原因以及镀制参数 | 第43-46页 |
| ·薄膜的制备流程 | 第46-47页 |
| 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 激光器的后续工艺以及测试 | 第48-55页 |
| ·薄膜的测试 | 第48-49页 |
| ·激光器后续的工艺 | 第49页 |
| ·激光器的测试 | 第49-54页 |
| 小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
