ZnO基薄膜阻变存储器的可靠性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZnO 薄膜的性质 | 第11-14页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第11页 |
| ·ZnO 薄膜的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜的电学性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO 薄膜的光学性质 | 第13页 |
| ·ZnO 薄膜的其他性质 | 第13-14页 |
| ·新型非挥发性存储器简介 | 第14-20页 |
| ·相变存储器 | 第15-16页 |
| ·铁电存储器 | 第16-18页 |
| ·磁阻存储器 | 第18-19页 |
| ·阻变存储器 | 第19-20页 |
| ·阻变存储器的研究进展 | 第20-25页 |
| ·阻变存储器的材料 | 第20-21页 |
| ·阻变开关效应的机理 | 第21-23页 |
| ·电流传导机制 | 第23-24页 |
| ·器件性能的关键参数 | 第24-25页 |
| ·ZnO 阻变存储器的研究现状 | 第25-27页 |
| ·本课题研究意义及主要研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章 ZnO 阻变存储器的制备及其表征 | 第28-39页 |
| ·器件的制备 | 第28-34页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第28-30页 |
| ·电子束蒸发 | 第30-32页 |
| ·电阻加热蒸发 | 第32页 |
| ·器件制备过程 | 第32-34页 |
| ·器件的表征 | 第34-38页 |
| ·紫外-可见光谱仪 | 第34页 |
| ·薄膜厚度测试仪 | 第34-35页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第35-36页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第36-37页 |
| ·I-V 特性测试仪 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 薄膜厚度对 ZnO 基薄膜阻变特性的影响 | 第39-45页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·结果和分析 | 第40-44页 |
| ·ZnO 薄膜的厚度 | 第40-41页 |
| ·ZnO 薄膜的晶体构造 | 第41-42页 |
| ·电阻开关特性 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 下电极对 ZnO 基薄膜阻变特性的影响 | 第45-51页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验过程 | 第46-47页 |
| ·下电极的制备 | 第46页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第46页 |
| ·器件性能测试 | 第46-47页 |
| ·结果和分析 | 第47-50页 |
| ·ZnO 薄膜的晶体构造 | 第47页 |
| ·器件的阻变特性 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 掺杂对 ZnO 基薄膜阻变特性的改良 | 第51-59页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·实验和理论计算 | 第51-52页 |
| ·结果和分析 | 第52-58页 |
| ·ZnO 薄膜的晶体构造 | 第52-53页 |
| ·器件的阻变特性 | 第53-57页 |
| ·阻变机理讨论 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 附录 | 第68页 |
