摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
·研究背景及意义 | 第9-10页 |
·国内外研究概况 | 第10-14页 |
·静电起电的国内外研究概况 | 第10-11页 |
·二次电子发射理论的国内外研究概况 | 第11-13页 |
·二次电子发射理论在静电起电过程中的研究情况 | 第13-14页 |
·研究内容与方法 | 第14-15页 |
第二章 固体材料静电起电分析 | 第15-31页 |
·静电起电的基本原理 | 第15-20页 |
·静电起电的定义 | 第15页 |
·静电起电的成因 | 第15-16页 |
·静电起电的影响因素和起电方式 | 第16-17页 |
·影响因素 | 第16页 |
·起电方式 | 第16-17页 |
·固体材料静电起电机理 | 第17-20页 |
·固体材料在静电起电理论中的分类 | 第20-24页 |
·固体电子的能带理论 | 第20-21页 |
·费米能级 | 第21-22页 |
·功函数 | 第22-23页 |
·固体形态的分类 | 第23-24页 |
·绝缘体、导体和半导体的静电起电分析 | 第24-27页 |
·金属导体的接触起电 | 第25-27页 |
·绝缘体的静电起电特性 | 第27页 |
·半导体的静电起电特性 | 第27页 |
·固体材料静电泄放机理 | 第27-29页 |
·本章小结 | 第29-31页 |
第三章 固体材料的二次电子发射特性 | 第31-43页 |
·二次电子发射现象 | 第31-33页 |
·二次电子发射原理 | 第31-32页 |
·二次电子发射系数 | 第32-33页 |
·金属导体二次电子发射特性 | 第33-37页 |
·δ与原电子入射能量 Ep的关系 | 第33-34页 |
·δ与原电子入射角θ的关系 | 第34-35页 |
·逸出功Φ和晶体结构对δ的影响 | 第35-36页 |
·金属表面状态的影响 | 第36-37页 |
·半导体、绝缘体二次电子发射特性 | 第37-39页 |
·固体材料静电起电过程中的二次电子发射现象 | 第39-40页 |
·二次电子发射系数的测量 | 第40-42页 |
·测量的原理 | 第40页 |
·测量的方法 | 第40-42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
第四章 绝缘材料的二次电子发射特性在其摩擦起电中的应用 | 第43-51页 |
·静电起电的二次电子发射特性的理论推导 | 第43页 |
·二次电子发射系数与摩擦起电过程的关联分析 | 第43-49页 |
·绝缘体二次电子发射系数与其静电产额及极性间的关联实验 | 第44-46页 |
·实验目的 | 第44页 |
·实验材料与条件 | 第44-45页 |
·实验设计方案 | 第45页 |
·结果及分析 | 第45-46页 |
·绝缘体二次电子发射系数与其摩擦起电间的关联实验 | 第46-49页 |
·实验目的 | 第46页 |
·实验材料及其特性 | 第46-47页 |
·实验条件 | 第47页 |
·实验方法 | 第47-48页 |
·结果与分析 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-51页 |
第五章 二次电子发射特性在抗静电性能上的应用 | 第51-60页 |
·静电放电分析 | 第51-53页 |
·静电放电的特点 | 第52页 |
·静电放电的因素 | 第52-53页 |
·固体材料抗静电分析 | 第53-55页 |
·抗静电技术评价体系的发展 | 第54页 |
·抗静电措施和技术 | 第54-55页 |
·基于二次电子发射特性的抗静电实验 | 第55-58页 |
·实验设计的目的 | 第55页 |
·实验材料 | 第55-56页 |
·实验测试方案 | 第56页 |
·实验方法设计 | 第56页 |
·实验结果与分析讨论 | 第56-58页 |
·二次电子发射系数在防静电技术上的应用 | 第58-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
第六章 基于二次电子发射特性的静电起电近似关系式 | 第60-63页 |
·一次电子入射能量与静电电位之间的曲线关系推导 | 第60-61页 |
·基于二次电子发射特性的静电起电电位的近似公式推导 | 第61-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
结论 | 第63-64页 |
1 本文的结论 | 第63页 |
2 研究展望 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-69页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果目录 | 第69-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
附件 | 第72页 |