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FAIMS传感器的设计与研制

摘要第1-12页
ABSTRACT第12-14页
第1章 绪论第14-21页
   ·研究的背景及意义第14-17页
   ·国内外研究现状第17-18页
   ·FAIMS在糖尿病检测上的应用第18-19页
     ·呼吸气体与疾病的关系第18页
     ·糖尿病酮症酸中毒第18-19页
   ·论文的主要研究内容第19-21页
第2章 FAIMS技术的的基本原理第21-26页
   ·离子迁移率第21-23页
   ·FAIMS模型的基本结构第23-25页
   ·本章小结第25-26页
第3章 FAIMS离子迁移区设计第26-36页
   ·MEMS技术介绍第26-27页
   ·基于MEMS的离子迁移区设计第27-35页
     ·MEMS离子迁移区的优势第27-28页
     ·迁移区内的击穿电压第28-29页
     ·迁移区平行电极板的形变分析第29-33页
       ·形变量的理论分析与计算第29-31页
       ·形变量的有限元仿真第31-33页
     ·迁移区的共振频率分析第33-35页
   ·本章小结第35-36页
第4章 FAIMS的离子源与检测系统第36-43页
   ·FAIMS离子源第36-39页
     ·FAIMS系统对离子源的要求第36-37页
     ·常用的电离方法第37-39页
       ·放射性元素电离法第37页
         ·光致电离法第37-38页
         ·电喷射电离法第38页
         ·电晕放电电离法第38-39页
   ·FAIMS检测系统第39-42页
     ·电荷检测器第40-41页
     ·微电流检测电路第41-42页
   ·本章小结第42-43页
第5章 FAIMS传感器芯片离子迁移区的制作第43-62页
   ·ICP刻蚀第43-46页
     ·ICP产生装置的结构第43-44页
     ·ICP刻蚀机理第44-46页
   ·FAIMS离子迁移区版图设计第46-57页
     ·L-edit介绍第47-48页
       ·L-edit的图形界面第47-48页
       ·L-edit的特点第48页
     ·使用L-edit进行版图绘制第48-57页
       ·叉指形离子迁移区设计结构与参数第48-50页
       ·版图绘制第50-57页
   ·FAIMS传感器加工流程第57-61页
     ·半导体光刻技术第57-58页
     ·加工流程第58-61页
       ·光刻对准标记第58-59页
         ·光刻金属电极第59-60页
       ·离子迁移区的光刻与刻蚀第60-61页
   ·本章小结第61-62页
第6章 总结与展望第62-64页
   ·论文总结第62-63页
   ·未来工作及展望第63-64页
参考文献第64-67页
致谢第67-68页
附录A ANSYS软件仿真程序命令流第68-73页
 A.1 离子迁移区极板长度为2mm时的命令流第68-70页
 A.2 离子迁移区极板长度为5mm时的命令流第70-73页
学位论文评阅及答辩情况表第73页

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