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N型金属诱导横向结晶TFT交直流应力下的器件退化研究

中文摘要第1-4页
Abstract第4-6页
第一章 绪论第6-16页
   ·低温多晶硅及金属横向诱导薄膜多晶硅(MILC-TFT)简介第7-11页
     ·低温多晶硅简介第7-8页
     ·金属诱导横向晶化(MILC)技术第8-9页
     ·实验样品制备第9-11页
   ·本论文工作的研究基础第11-14页
     ·自加热效应的前期研究第11-13页
     ·热载流子退化的前期研究第13-14页
   ·本论文工作的基本内容第14-16页
第二章 自加热应力退化研究与机制分析第16-42页
   ·实验条件及器件参数提取第17页
   ·实验结果与讨论第17-31页
     ·退化的特征第17-25页
     ·场效应迁移率的异常退化第25-31页
   ·自加热应力的有限元模拟分析第31-37页
     ·有限元热分析模型的建立第32-34页
     ·器件沟道温度分布第34-37页
   ·直流自加热退化的机制分析第37-40页
   ·本章结论第40-42页
第三章 交流应力下热载流子退化研究第42-57页
   ·实验结果与讨论第42-51页
     ·退化的一般性特征第43-44页
     ·交流退化与上升、下降沿的关系第44-46页
     ·交流退化与周期、脉冲个数的关系第46-48页
     ·交流退化与基准电压及脉冲高度的关系第48-51页
   ·交流应力的退化模型讨论第51-55页
   ·本章结论第55-57页
第四章 总结及下一步工作第57-59页
参考文献第59-63页
攻读硕士学位期间发表的论文第63-64页
致谢第64-65页
详细摘要第65-67页

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