| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 前言 | 第9-11页 |
| 第2章 文献综述 | 第11-31页 |
| ·硅的基本性质 | 第11-12页 |
| ·硅单晶的制备 | 第12-13页 |
| ·直拉法 | 第12-13页 |
| ·区熔法 | 第13页 |
| ·硅单晶中的氧 | 第13-16页 |
| ·氧的固溶度 | 第13-14页 |
| ·氧的扩散 | 第14-15页 |
| ·氧的测量 | 第15-16页 |
| ·硅单晶中的氧沉淀 | 第16-20页 |
| ·氧沉淀形成的热力学和动力学 | 第16-18页 |
| ·氧沉淀的形核 | 第17页 |
| ·氧沉淀的长大 | 第17-18页 |
| ·直拉硅单晶内吸杂 | 第18-20页 |
| ·高—低—高三步退火 | 第18-19页 |
| ·低—高两步退火 | 第19页 |
| ·魔幻洁净区 | 第19-20页 |
| ·掺锗对直拉硅单晶中氧沉淀和热施主的影响 | 第20-24页 |
| ·掺锗对直拉硅中氧沉淀的影响 | 第20-23页 |
| ·掺锗对直拉硅中热施主的影响 | 第23-24页 |
| ·掺氮对直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第24-26页 |
| ·硅单晶中的氢 | 第26-31页 |
| ·氢在硅中的基本性质 | 第26-27页 |
| ·氢在硅中的固溶度 | 第26页 |
| ·氢在硅中的扩散 | 第26-27页 |
| ·氢对硅中氧扩散的影响 | 第27-28页 |
| ·氢对硅中氧热施主生成的影响 | 第28-29页 |
| ·氢对硅中氧沉淀的影响 | 第29-31页 |
| 第3章 实验设备与样品准备 | 第31-34页 |
| ·退火设备 | 第31页 |
| ·常规退火炉 | 第31页 |
| ·氢气退火炉 | 第31页 |
| ·测试设备 | 第31-33页 |
| ·傅立叶红外干涉仪 | 第31-32页 |
| ·金相显微镜 | 第32页 |
| ·四探针电阻仪 | 第32-33页 |
| ·样品的制备 | 第33-34页 |
| ·样品的选取 | 第33页 |
| ·样品的腐蚀 | 第33页 |
| ·样品的清洗 | 第33-34页 |
| 第4章 氢气氛退火对直拉硅和掺锗直拉硅中氧沉淀和洁净区形成的影响 | 第34-51页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·实验 | 第35-36页 |
| ·样品参数 | 第35页 |
| ·实验过程 | 第35-36页 |
| ·实验结果及讨论 | 第36-50页 |
| ·氢气和氩气氛下L-H Ramping退火对CZ和GCZ硅片氧沉淀和洁净区形成的影响 | 第36-43页 |
| ·L-H Ramping高温温度为1150℃ | 第36-40页 |
| ·L-H Ramping高温温度为1050℃ | 第40-43页 |
| ·氢气和氩气氛下1200℃/2h预处理对CZ和GCZ硅片氧沉淀和洁净区形成的影响 | 第43-46页 |
| ·氢气和氩气氛下1200℃/1h退火对CZ和GCZ硅片氧沉淀消融的影响 | 第46-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第5章 高温氢气氛预处理对掺锗直拉硅中热施主的影响 | 第51-55页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·实验 | 第51-52页 |
| ·样品参数 | 第51-52页 |
| ·实验方案 | 第52页 |
| ·结果及讨论 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第6章 氢气退火对掺氮直拉硅中氧沉淀和洁净区形成的影响 | 第55-62页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·实验 | 第55-56页 |
| ·样品参数 | 第55-56页 |
| ·实验过程 | 第56页 |
| ·实验结果及讨论 | 第56-61页 |
| ·氢气和氩气氛下L-H Ramping退火对NCZ硅片氧沉淀和洁净区形成的影响 | 第56-59页 |
| ·氢气和氩气氛下1200℃/2h预处理对NCZ硅片氧沉淀和洁净区形成的影响 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 第7章 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附录 | 第70页 |
